Publicly Offered Research
Grant-in-Aid for Transformative Research Areas (A)
省エネの鍵となる半導体パワーデバイスにとって最も重要な基礎技術は、半導体界面の制御であり、絶縁膜と半導体との界面における原子構造の制御がデバイス性能向上の要となる。しかし、絶縁膜と半導体の界面は、非晶質と結晶の複雑界面であるため、既存の計測手法では原子配列を観測することができない。そのような界面原子層は、完全な無秩序ではない超秩序構造を持っていると予測される。そこで、本研究では実測に基づく界面原子構造を電気特性やプロセス条件と結びつけ、電気的欠陥となる超秩序構造を理解することで、界面制御に新たな基盤技術を構築する。