動的電子状態に基づいた強誘電性金属錯体液晶の分子デバイス開発
Publicly Offered Research
| Project Area | Coordination Programming - Science of Molecular Superstructures for Chemical Devices |
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| Project/Area Number |
24108733
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Kumamoto University |
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Principal Investigator |
速水 真也 熊本大学, 自然科学研究科, 教授 (30321912)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2013)
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| Budget Amount *help |
¥7,930,000 (Direct Cost: ¥6,100,000、Indirect Cost: ¥1,830,000)
Fiscal Year 2013: ¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000)
Fiscal Year 2012: ¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000)
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| Keywords | ソフトマテリアル / 柔軟性金属錯体 / 金属錯体液晶 / 強誘電性 / スピン転移 / 混合原子価 |
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| Research Abstract |
省エネルギー・環境低負荷で、且つ簡便に製作できる分子デバイスの創製は、次世代の情報処理のキーテクノロジーとして嘱望されている技術開発の一つである。しかし、現在研究されている様々な分子性材料のなかで、実際に電子材料として利用できるものは極めて限られている。最近、強誘電性液晶が、高速応答・メモリ性という観点から注目され始めている。この様な液晶材料を分子デバイスとして利用する事で、新たな高機能性高速応答デバイスとしての応用が期待でき、光電子デバイス分野に新たな展開をもたらす可能性を秘めている。同時に強誘電体メモリも次世代の分子デバイスの重要なターゲットの一つである。強誘電性メモリ（FeRAM）は、デバイスの安定性、成膜条件に対する特性の依存性、また破壊読み出しである事など問題が残っているが、強誘電メモリはデバイス構造を単純化できるため、特性の良い分子性強誘電材料が得られれば、将来的には第三世代の分子デバイスへ展開も大いに期待できる。そこで本研究では、動的電子状態を有する金属錯体を組み込んだ強誘電性金属錯体液晶において、スピン転移に伴う磁気メモリ特性や電荷移動に伴う非線形光学特性の増大などの機能性の発現およびナノパターニングによるシングルドメインドットを利用した超高速応答分子デバイスの創製を目的として研究を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
25年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
25年度が最終年度であるため、記入しない。
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Report
(2 results)
Research Products
(37 results)
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[Journal Article] Graphene oxide fuel cell2013
Author(s)
Tateishi, Hikaru; Hatakeyama, Kazuto; Ogata, Chikako; Gezuhara, Kengo; Kuroda, Jun; Funatsu, Asami; Koinuma, Michio; Taniguchi, Takaaki; Hayami, Shinya; Matsumoto, Yasumichi
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Journal Title
Journal of the Electrochemical Society
Volume: 160
Issue: 11
Pages: F1175-F1178
DOI
Related Report
Peer Reviewed
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[Journal Article] Graphene Oxide Nanosheet with High Proton Conductivity2013
Author(s)
M. Karim, K. Hatakeyama. T. Matsui, H. Takehiro, T. Taniguchi, M. Koinuma, Y. Matsumoto, T. Autogawa, T. Nakamura, S. Noro, T. Yamada, H. kitagawa, S. Hayami
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Journal Title
Journal of the American Chemical Society
Volume: 135
Issue: 22
Pages: 8097-8100
DOI
URL
Related Report
Peer Reviewed
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