Publicly Offered Research
Grant-in-Aid for Transformative Research Areas (A)
原子レベルの厚さしかない二次元半導体は非常に優れたゲート制御性を有することから、ゲート長1 nm以下においても低消費電力動作可能な電界効果トランジスタ(FET)のチャネル材料として期待されている。しかし、二次元半導体をチャネル材料に用いたとしても、従来のFET構造では、オフ・オンスイッチに必要な電圧に理論下限値が存在することから、その低消費電力化には限界がある。本研究では、微小エネルギーで絶縁体―金属相転移を示す強相関酸化物を二次元半導体FETのゲートとして用いることで、これまでの理論限界を超える超低消費電力スイッチの実現を目指す。
