Publicly Offered Research
Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)
本研究課題では、有機π電子系と金属d電子系との電子相関を導出できる構造基盤としてジピリド[3,2-a:2’,3’-c]フェナジン（dppz）を選択し、本骨格ならびにその金属錯体を元素ブロックとする新規機能材料の開発を行う。平成26年度は、dppz－白金(II)錯体のりん光性発現のメカニズムの解明に加え、当該錯体を元素ブロックとするりん光性高分子の創出について検討した。また、dppzを基盤とする新規n型有機半導体の創出についても検討した。dppzを基盤とするりん光材料の発光メカニズムについては、2,7-位に種々の置換基を導入したdppzを配位子に用いてりん光性dppz-白金(II)-ビス(フェニルアセチリド)錯体を合成し、それらの発光特性を比較した。その結果、π共役ドナー性置換基を導入したもののみ効率的なりん光が観測された。時間依存密度汎関数理論によるモデル計算から、観測される発光はフェニルアセチリド配位子からdppzへの配位子間電荷移動型遷移に基づき、発光性三重項状態の形成にはπ共役ドナー性置換基が大きく寄与していることが示唆された。本研究課題ではまた、上記dppz-白金(II)-ビス(フェニルアセチリド)錯体を元素ブロックと見なし、有機金属系高分子の合成について検討した。dppz-白金(II)ジクロリド錯体と2,7-ジエチニルフルオレンとの配位子交換による重合反応によって、目的とする元素ブロック高分子を得ることに成功した。さらに、dppz誘導体を新規合成し、有機半導体材料としての有用性について検討した。合成した化合物についてトップゲート型の電界効果トランジスタ（OFET）を溶液塗布法によって作製した。期待に反して、OFETはp型、n型ともに半導体特性は示さず、dppzを基盤とする優れた有機半導体の創出には分子設計の再検討が必要であることがわかった。
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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Volume: 44 Issue: 3 Pages: 288-290
10.1246/cl.141014
130004703986
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http://www.chem.osakafu-u.ac.jp/ohka/ohka6/index.html
