異種原子層膜を用いた論理回路
Publicly Offered Research
| Project Area | Science of Atomic Layer Systems |
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| Project/Area Number |
26107533
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Waseda University |
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Principal Investigator |
竹延 大志 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (70343035)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2015-03-31
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| Project Status |
Discontinued (Fiscal Year 2014)
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| Budget Amount *help |
¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
Fiscal Year 2014: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
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| Keywords | 原子層膜 / トランジスタ / 論理回路 / CVD合成 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究の目的は、化学気相成長法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド（MoS2, MoSe2, WSe2）原子層膜成膜技術とイオンゲルトランジスタ作製技術を組み合わせた機能性原子層膜素子の作製であり、具体的な研究項目と成果を以下にあげる。
① 化学気相成長法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド原子層膜成膜技術の確立：合成装置を作製し、多層膜の合成には成功している。現在、大面積単層膜合成に向けて、条件の最適化を進めている。
② 単一原子層膜を用いたイオンゲルトランジスタおよび論理回路の作製：MoS2, MoSe2, WS2,WSe2単層膜を用いたトランジスタ作製に成功した。また、抵抗インバーター（gain ~ 13）や両極性トランジスタを用いたインバーター（gain ~ 80）作製に成功した。
③ 複数種類の原子層膜を用いた論理回路の作製：MoS2（N型）とWSe2（両極性）を組み合わせたインバーター（gain ~ 110）作製に成功した。
以上のように、合成条件の最適化を除いた当初の目標を初年度半年間で達成することができた。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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Report
(1 results)
Research Products
(11 results)
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[Journal Article] Monolayer MoSe2 Grown by Chemical Vapor Deposition for Fast Photodetection2014
Author(s)
Yung-Huang Chang, Wenjing Zhang, Yihan Zhu, Yu Han, Jiang Pu, Jan-Kai Chang, Wei-Ting Hsu, Jing-Kai Huang, Chang-Lung Hsu, Ming-Hui Chiu, Taishi Takenobu, Henan Li, Chih-I Wu, Wen-Hao Chang, Andrew Thye Shen Wee, Lain-Jong Li
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Journal Title
ACS Nano
Volume: ８
Issue: 8
Pages: 8582-8590
DOI
Related Report
Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
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