2008 Fiscal Year Annual Research Report
窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
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| Project/Area Number |
18069013
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| Research Institution | Ritsumeikan University |
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Principal Investigator |
名西 やす之 Ritsumeikan University, 理工学部, 教授 (40268157)
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| Keywords | 窒化物半導体 / 結晶成長 / 半導体物性 / 光デバイス / 窒化インジウム / 窒化アルミニウム |
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| Research Abstract |
総括班として、領域代表者である名西が中心となり、各研究項目の総括者(A01 : 名西、A02 : 吉川、A03 : 天野、A04 : 岸野)との間において、研究項目間の連携の強化、調整を密に図り、領域全体の方針策定・立案・調整を、評価担当者の指導を仰ぎながら進めた。
平成20年8月1〜2日東京学士会館にて、特定領域研究公開シンポジウム「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-を開催した。大学・企業関係から約150名の研究者が集まり、口頭講演、ポスターセッションを通じて各講演に対して質疑応答も活発に行われた。
また、本特定領域研究が主催として、平成20年7月6〜9日伊豆ラフォーレ修善寺にて、Second International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-2)を開催した。国内外から約260名の研究者が参加し、本特定領域メンバーからも数多くの優れた成果発表がなされたとともに、最新のデータが発表・議論されるなど本分野の研究活動のさらなる発展に大きく貢献した。
9月には中間審査ヒアリングを受け、評価結果 : A(現行のまま推進すればよい)の中間評価結果を頂いた。
年度末の成果報告会として、平成21年3月11〜12日鳥羽シーサイドホテルにおいて、平成20年度研究成果報告会を開催し、計画研究、公募研究あわせて全20件の成果報告を行い、各研究項目間の成果共有を図った。
上記会議にあわせて、第5回(平成20年8月2日)、第6回(平成21年3月12日)の総括班ミーティングを行い、総括班メンバー、評価担当者出席のもと、研究方針策定、研究会企画などを議論した。
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