2009 Fiscal Year Annual Research Report
窒化物光半導体のフロンティア―材料潜在能力の極限発現―
| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
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18069013
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| Research Institution | Ritsumeikan University |
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Principal Investigator |
名西 やす之 Ritsumeikan University, 理工学部, 教授 (40268157)
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| Keywords | 窒化物半導体 / 結晶成長 / 半導体物性 / 光デバイス / 紫外 / 赤外 |
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| Research Abstract |
総括班として、領域代表者である名西が中心となり、各研究項目の総括者(A01:名西、A02:吉川、A03:天野、A04:岸野)との間において、研究項目間の連携の強化、調整を密に図り、領域全体の方針策定・立案・調整を、評価担当者の指導を仰ぎながら進めた。
本年度は研究会として、平成21年7月11日(土)立命館大学びわこ・くさつキャンパスにて、平成21年度研究会を開催し、本会では、領域代表による本領域全体概要説明に引き続き、平成21年度より新たに領域に参画した7件の公募研究課題研究代表者から研究内容の概要と今後の研究計画についての発表を行った。
平成21年9月9日(水)富山大学にて、2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会シンポジウム「窒化物の新展開」特定領域研究企画「紫外発光素子の進展」を開催した。領域代表によるイントロダクトリートークに引き続き、7名による研究成果が発表された。会場は常時立ち見がでるほどの大盛況で、各講演に対して質疑応答も活発に行われ、窒化物半導体紫外発光素子に対する関心が非常に高いことを示すものであった。
年度末の成果報告会として、平成22年3月15日(月)-16日(火)長浜ロイヤルホテルにおいて、平成21年度研究成果報告会を開催し、計画研究、公募研究あわせて全19件の成果報告を行い、各研究項目間の成果共有を図るとともに、全体パネルディスカッションを行い、最終年度へ向けた研究方針について議論した。
上記会議にあわせて、第7回(平成21年7月11日)、第8回(平成22年3月15日、16日)の総括班ミーティングを行い、総括班メンバー、評価担当者出席のもと、研究方針策定、研究会企画なとを議論した。
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