窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-

2011 Fiscal Year Annual Research Report

• Project Area: Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential-
• Project/Area Number: 18069013
• Research Institution: Ritsumeikan University
• Principal Investigator: 名西 やす之 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授 (40268157)
• Keywords: 窒化物半導体 / 光デバイス / 結晶成長 / 半導体物性

Research Abstract

研究成果とりまとめとして、最終成果報告のための公開シンポジウムを下記日程で開催した。
文部科学省 科学研究費補助金 特定領域研究 最終成果報告公開シンポジウム
窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
日時:平成23年8月3日(水)～4日(木)(2日間)
場所:東京ガーデンパレス(東京都文京区)
参加者:150名
内容:研究代表者(計画研究、全公募研究を含む)に最終成果報告講演各研究課題研究担当者らによるポスターセッション
概要:まずはじめに、領域代表者 立命館大学 名西から、本特定領域全体の目的、構想、研究体制、主な研究成果に関するまとめの発表がなされた。その後、A03短波長デバイス基盤技術総括 名古屋大学 天野、A04長波長デバイス基盤技術総括 上智大学 岸野、A02物性評価総括 千葉大学 吉川、A01結晶成長技術総括 立命館大学 名西から順に各研究項目ごとに得られた成果の総括と各研究成果内容が報告された。その後、第1日目,2日目を通じて、各計画研究、公募研究代表者からの成果発表がなされた。また第1に目の午後には、各研究課題の研究担当者らによるポスタープレゼンテーションが行われ、参加者との活発な研究ディスカッションが繰り広げられた。