Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential-

2008 Fiscal Year Self-evaluation Report

• Project Area: Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential-
• Project/Area Number: 18069013
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Science and Engineering
• Research Institution: Ritsumeikan University
• Principal Investigator: NANISHI Yasushi Ritsumeikan University, 理工学部, 教授 (40268157)
• Project Period (FY): 2006 – 2011
• Keywords: 窒化物半導体 / 発光デバイス

Research Abstract

窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)に代表される窒化物半導体は、その優れた物理的特徴から、青色・緑色発光ダイオード(LED)、白色光源、青紫色レーザ(LD)などを次々と実現し、短期間のうちに実用化を成し遂げ、社会の発展に大きく寄与してきた。しかし、窒化物半導体のもつ材料本来の能力(ポテンシャル)からすれば、これまで開発された技術の範囲は、そのほんの一部でしかない。本研究領域においては、材料、物性、デバイスの全ての階層での全波長領域(紫外域～赤外域)にわたる横断的研究に取り組むことによって、「新規結晶成長技術の開発」と「欠陥物理と発光機構、不純物活性化機構の解明」に基づいて、窒化物半導体が本来持つ優れた潜在能力を極限(内部量子効率100%)まで引き出し、その適用波長領域の限界を外縁に広げる(200nm～2μm)ことを目的としている。

Research Products

• [Journal Article] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and high-quality growth of InN by RF molecular beam epitaxy (2009)
  • Author(s): T. Yamaguchi, Y. Nanishi
  • Journal Title: Appl. Phys. Express 2 Pages: 051001
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Fabrication and characterization of novel monolayer InN quantum wells in a GaN matrix (2008)
  • Author(s): A. Yoshikawa, S.B. Che, N. Hashimoto, H. Saito, Y. Ishitani, X.Q. Wang
  • Journal Title: J. Vac. Sci. Technol. B 26 Pages: 1551-1559
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices (2008)
  • Author(s): H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: Mater. Sci. Forum 590 Pages: 175-210
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Selective-area growth of GaN nanocolumns on titanium-mask-patterned silicon (111) substrates by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy (2008)
  • Author(s): K. Kishino, T. Hoshino, S. Ishizawa, A. Kikuchi
  • Journal Title: Electron. Lett. 44 Pages: 819-821
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting (2008)
  • Author(s): M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
  • Journal Title: Appl. Phys. Express 1 Pages: 011106/1-3
  • Peer Reviewed
• [Remarks] 研究成果公表の手段として、ホームページを開設し、領域の概要、研究項目、組織、研究会情報などを公開している。
  • URL: http://www.bkc.ritsumei.ac.jp/~tara/tokutei/index.htm