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2019 Fiscal Year Annual Research Report

Study of trapping/scattering dynamics of carriers in crystal singularity by means of positron annihilation

Planned Research

Project AreaMaterials Science and Advanced Elecronics created by singularity
Project/Area Number 16H06424
Research InstitutionUniversity of Tsukuba

Principal Investigator

上殿 明良  筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 大島 永康  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究グループ長 (00391889)
角谷 正友  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主席研究員 (20293607)
石橋 章司  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (30356448)
奥村 宏典  筑波大学, 数理物質系, 助教 (80756750)
Project Period (FY) 2016-06-30 – 2021-03-31
Keywords陽電子消滅 / 結晶特異構造 / キャリア捕獲 / 点欠陥 / 超格子構造 / 室温PL発光寿命 / 理論計算 / 光熱偏向分光法
Outline of Annual Research Achievements

窒素極性面AlNを低温で成長した場合、意図せず混入したSi濃度が少なく、リーク電流を低減できることが分かった。低温AlN緩衝層上に成長したSi添加窒素極性面AlN層の電気特性を調べたところ、電気伝導性が得られた。さらに、AlGaN層を用いて分極効果を利用することで、100 mA/mmを超えるトランジスタ動作に成功した。
InGaN薄膜のalloy scatteringの指標として光熱偏向分光法で評価したUrbach energy値が最もよいInGaNとAlGaNとのヘテロ接合界面でシュブニコフドハース振動が観測される程高移動度なInGaN薄膜を実現することができた。また、InGaN薄膜の成長様式をステップフローにすることによって、0.5 μmで室温の発光寿命(キャリアの拡散長)を0.5 nsecまで伸ばすことができた。
開発した垂直型輝度増強システムを用いて、陽電子ビームを径10mm強から数百μmにまで集束することに成功した。マイクロビームのXY走査ソフト開発を行ったことで、試料上の任意の位置にビームを打ち込めることが可能となった。ビーム径の測定はナイフエッジ法で行った。陽電子源から輝度増強システムまでの陽電子ビーム輸送効率とニッケル再減速材の効率を最適化によって、寿命測定を100 cpsまで上げることが出来た。
AlNについて、かなりの量の水素が導入されていると考えられる試料、カソードルミネッセンス測定で窒素位置置換の炭素に起因する強いピークが観測された試料、大量のInを含む試料、などで実験が行われたことを受けて、Al空孔に水素が侵入した欠陥、Al空孔と窒素位置置換の炭素の複合欠陥、Inと窒素空孔クラスタの複合欠陥、などの空孔型欠陥における陽電子状態・消滅パラメータの理論計算を実行し、実験結果と比較することで欠陥種の同定に寄与した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

1100℃の低温で成長した窒素極性面AlN層は、混入するSi濃度を1016 cm-3以下まで低減でき、10 nA/mm以下までリーク電流を低減できた。低温AlN緩衝層上にSi添加AlN層を成長することで、窒素極性面AlN層を用いたMESFET動作に成功した。さらに、低温AlN緩衝層上にAl組成80%のAlGaN層を積層することで、分極効果によってキャリアが誘起され、126 mA/mmまで動作電流を増大できることが分かった。
MOCVDによって各種基板上にGaN薄膜、InGaN薄膜を成長し、AlGaN障壁層との界面を形成してきた。シュブニコフドハース振動を出現するInGaN薄膜や歪を制御したIII-V族窒化物薄膜を陽電子消滅法に適応したりしてきた。また、光熱偏向分光法は電気的・光学的に不活性な試料(特にイオン注入)のギャップ内準位評価をして、陽電子消滅との相関について議論してきた。
電子加速器ベース陽電子源は、電子加速器の劣化とメンテナンス作業によって、利用時間と発生ビーム強度の減少が進行中であるが、これを少しでも補うために新たにRIベース陽電子源を開発したため、実験時間を維持することが可能となった。
窒化物半導体(2018年度は特にAlN)について、作成条件を反映した試料の素性を考慮し、想定しうる様々な種類の点欠陥(特に空孔と不純物の複合体)について、臨機応変に(捕獲された)陽電子状態と消滅パラメータの理論計算を遂行してきた。加えて、陽電子の局在性や、消滅パラメータの系統的変化が何を反映しているか。その解明のために、陽電子の感じるポテンシャルや欠陥周囲の化学組成などとの関連の調査も行なった。

Strategy for Future Research Activity

AlN試料への各種イオン注入によるn型化およびp型化を試みる。窒素雰囲気下での高温熱処理後に陽電子消滅法による点欠陥評価を行い、点欠陥の注入イオン種依存性を調べる。また、熱処理温度による不純物の拡散を調べ、AlN層へのイオン注入技術において、再現性の向上を図る。
自立基板GaNバルクやAlNテンプレートなどを用いてInGaN薄膜成長のさらなる高品質化を図る。Mg, Znのp型ドーパントによる補償効果からInGaN薄膜中の残留キャリア濃度を減らし移動度を向上させ、高周波HEMTなどの電子デバイスに展開する。また、PDS測定を顕微鏡下で行えるように装置を開発したり、陽電子消滅法との融合を図りながらIII-V族窒化物の欠陥の学理構築に貢献していく。
陽電子マイクロビームの試料への打ち込む平面場所を変えずに、打ち込み深さのみ制御するため、ビーム軌道を変えずに広範囲を加速するための加速管(1-30keV)を開発する。これにより、狙った局所の欠陥の深さ分布を解析する。
引き続き、自家製計算コードであるQMASの陽電子消滅関連計算機能を用いて、窒化物半導体における様々な点欠陥について、陽電子状態・消滅パラメータを計算し、実験結果との比較を容易にするために構築したデータベースを更新する。さらに、欠陥周囲の局所構造・化学組成と陽電子状態・消滅パラメータの相関とその理由を解明していく。

  • Research Products

    (50 results)

All 2020 2019 Other

All Int'l Joint Research (3 results) Journal Article (17 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results,  Peer Reviewed: 17 results,  Open Access: 2 results) Presentation (29 results) (of which Int'l Joint Research: 15 results,  Invited: 9 results) Book (1 results)

  • [Int'l Joint Research] TUM FRM2/HZDR/UniBwM(ドイツ)

    • Country Name
      GERMANY
    • Counterpart Institution
      TUM FRM2/HZDR/UniBwM
  • [Int'l Joint Research] CNRS(フランス)

    • Country Name
      FRANCE
    • Counterpart Institution
      CNRS
  • [Int'l Joint Research] MIT(米国)

    • Country Name
      U.S.A.
    • Counterpart Institution
      MIT
  • [Journal Article] Influence of thin MOCVD-grown GaN layer on underlying AlN template2020

    • Author(s)
      Sumiya Masatomo、Fukuda Kiyotaka、Yasiro Shuhei、Honda Tohru
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth

      Volume: 532 Pages: 125376~125376

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.125376

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Growth of AlGaN/InGaN/GaN Heterostructure on AlN Template/Sapphire2020

    • Author(s)
      Sumiya Masatomo、Kindole Dickson、Fukuda Kiyotaka、Yashiro Shuhei、Takehana Kanji、Honda Tohru、Imanaka Yasutaka
    • Journal Title

      physica status solidi (b)

      Volume: 257 Pages: 1900524~1900524

    • DOI

      10.1002/pssb.201900524

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Simple way of finding Ba to Si deposition rate ratios for high photoresponsivity in BaSi2 films by Raman spectroscopy2019

    • Author(s)
      Yamashita Yudai、Takahara Yuuki、Sato Takuma、Toko Kaoru、Uedono Akira、Suemasu Takashi
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 12 Pages: 055506~055506

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab14b9

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Characterization of the distribution of defects introduced by plasma exposure in Si substrate2019

    • Author(s)
      Sato Yoshihiro、Shibata Satoshi、Uedono Akira、Urabe Keiichiro、Eriguchi Koji
    • Journal Title

      Journal of Vacuum Science & Technology A

      Volume: 37 Pages: 011304~011304

    • DOI

      10.1116/1.5048027

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Impact of defects on the electrical properties of p-n diodes formed by implanting Mg and H ions into N-polar GaN2019

    • Author(s)
      H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, M. Kanechika, and A. Uedono
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 126 Pages: 125102~125102

    • DOI

      10.1063/1.5116886

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Annealing Behavior of Vacancy‐Type Defects in Mg‐ and H‐Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams2019

    • Author(s)
      Uedono Akira、Iguchi Hiroko、Narita Tetsuo、Kataoka Keita、Egger Werner、Koschine T?njes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
    • Journal Title

      physica status solidi (b)

      Volume: 256 Pages: 1900104~1900104

    • DOI

      10.1002/pssb.201900104

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures2019

    • Author(s)
      Chichibu Shigefusa F.、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Takashima Shin-ya、Ueno Katsunori、Edo Masaharu、Iguchi Hiroko、Narita Tetsuo、Kataoka Keita、Ishibashi Shoji、Uedono Akira
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 58 Pages: SC0802~SC0802

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab0d06

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Vacancy-type defects in GaN self-assembled nanowires probed using monoenergetic positron beam2019

    • Author(s)
      Uedono Akira、Siladie Alexandra-Madalina、Pernot Julien、Daudin Bruno、Ishibashi Shoji
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 125 Pages: 175705~175705

    • DOI

      10.1063/1.5088653

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal deflection spectroscopy2019

    • Author(s)
      Sumiya M.、Fukuda K.、Takashima S.、Ueda S.、Onuma T.、Yamaguchi T.、Honda T.、Uedono A.
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth

      Volume: 511 Pages: 15~18

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.01.021

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effect of dopant concentration and annealing of Yttrium doped CuO nanocrystallites studied by positron annihilation spectroscopy2019

    • Author(s)
      Sellaiyan S.、Vimala Devi L.、Sako K.、Uedono A.、Sivaji K.
    • Journal Title

      Journal of Alloys and Compounds

      Volume: 788 Pages: 549~558

    • DOI

      10.1016/j.jallcom.2019.02.247

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Two-dimensional mapping of hydrogen and other elements in materials with microbeam-based transmission ERDA and PIXE2019

    • Author(s)
      Yamazaki A.、Naramoto H.、Sasa K.、Ishii S.、Tomita S.、Sataka M.、Kudo H.、Ohkubo M.、Uedono A.
    • Journal Title

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

      Volume: 450 Pages: 319~322

    • DOI

      10.1016/j.nimb.2018.10.015

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Computational study of positron annihilation parameters for cation mono-vacancies and vacancy complexes in nitride semiconductor alloys2019

    • Author(s)
      Ishibashi Shoji、Uedono Akira、Kino Hiori、Miyake Takashi、Terakura Kiyoyuki
    • Journal Title

      Journal of Physics: Condensed Matter

      Volume: 31 Pages: 475401~475401

    • DOI

      10.1088/1361-648X/ab35a4

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Journal Article] Nitrogen-Polar Polarization-Doped Field-Effect Transistor Based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC With Drain Current Over 100 mA/mm2019

    • Author(s)
      Lemettinen Jori、Chowdhury Nadim、Okumura Hironori、Kim Iurii、Suihkonen Sami、Palacios Tomas
    • Journal Title

      IEEE Electron Device Letters

      Volume: 40 Pages: 1245~1248

    • DOI

      10.1109/LED.2019.2923902

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Dry and wet etching for β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with mesa termination2019

    • Author(s)
      Okumura Hironori、Tanaka Taketoshi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 58 Pages: 120902~120902

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab4f90

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Journal Article] Growth of InGaN films on hardness-controlled bulk GaN substrates2019

    • Author(s)
      Sumiya Masatomo、Fukuda Kiyotaka、Fujikura Hajime、Konno Taichiro、Suzuki Takayuki、Fujimoto Tetsuji、Yoshida Takehiro、Ueda Shigenori、Watanabe Kenji、Ohnishi Tsuyoshi、Honda Tohru
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 115 Pages: 172102~172102

    • DOI

      10.1063/1.5110224

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template2019

    • Author(s)
      Matsuura Haruka、Onuma Takeyoshi、Sumiya Masatomo、Yamaguchi Tomohiro、Ren Bing、Liao Meiyong、Honda Tohru、Sang Liwen
    • Journal Title

      Applied Sciences

      Volume: 9 Pages: 1746~1746

    • DOI

      10.3390/app9091746

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Terahertz Cyclotron Resonance in AlGaN/GaN Heterostructures2019

    • Author(s)
      Kindole Dickson、Imanaka Yasutaka、Takehana Kanji、Sang Liwen、Sumiya Masatomo
    • Journal Title

      Journal of the Korean Physical Society

      Volume: 74 Pages: 159~163

    • DOI

      10.3938/jkps.74.159

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価2020

    • Author(s)
      秩父重英,嶋紘平,小島一信,Moody Baxter,三田清二,Collazo Ramon,Sitar Zlatko,熊谷義直,上殿明良
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020

    • Author(s)
      嶋紘平,中須大蔵,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020

    • Author(s)
      中須大蔵,嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 陽電子消滅によるSiO2/GaN構造の空隙と空孔型欠陥の検出2020

    • Author(s)
      上殿明良,上野航,細井卓治,W. Egger,T. Koschine,C. Hugenschmidt,M. Dickmann M.,渡部平司
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] InGaN/GaNヘテロ構造成長におけるAlNテンプレートの変化2020

    • Author(s)
      角谷正友,高原悠希,矢代秀平,本田 徹,Dickerson Kindole1,竹端寛治,今中康貴,上殿明良
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス2020

    • Author(s)
      秩父重英,小島一信,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,三田清二,Collazo Ramon,Sitar Zlatko,上殿明良
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Vacancy-type defects in ion-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams2019

    • Author(s)
      A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, and S. Ishibashi
    • Organizer
      MLZ User Meeting 2019
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] In Line and Ex Situ Metrology and Characterization to Enable Area Selective Deposition2019

    • Author(s)
      C. Vallee, M. Bonvalot, B. Pelissier, J.-H. Tortai, S. David, S. belahcen, V. Pesce, M. Jaffal, A. Bsiesy, R. Gassilloud, N. Posseme, T. Grehl, P. Bruner, and A. Uedono
    • Organizer
      American Vacuum Society Int. Sym.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-Implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes2019

    • Author(s)
      K Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
    • Organizer
      13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] The Infuence of AlN Nucleation Layer on Radio Frequency (RF) Transmission Loss of GaN-on-Si Structure2019

    • Author(s)
      M. Zhao, V. Spampinato, A. Franquet, D. Hein, L. Chang and A. Uedono
    • Organizer
      13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN2019

    • Author(s)
      S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, and A. Uedono
    • Organizer
      13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors2019

    • Author(s)
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • Organizer
      SPIE Photonics West, OPTO
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy2019

    • Author(s)
      A. Uedono, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • Organizer
      SPIE Photonics West, OPTO
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Open spaces in Al2O3 film deposited on widegap semiconductors probed by monoenergetic positron beams2019

    • Author(s)
      A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, M. Sumiya, and S. Ishibashi
    • Organizer
      American Vacuum Society Int. Sym. Ohio
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Annealing behaviors of open spaces in thin Al2O3 films deposited on semiconductors studied using monoenergetic positron beams2019

    • Author(s)
      A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, and S. Ishibashi
    • Organizer
      15th Int. Workshop Slow Positron Beam Techniques and Applications
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Impact of Vacancy Complexes on the Nonradiative Recombination Processes in III-N Devices2019

    • Author(s)
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • Organizer
      13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Vacancy-type defects in GaN-based power device structure defect characterization inion implanted GaN and Al2O3/GaN2019

    • Author(s)
      A. Uedono, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • Organizer
      Compound Semiconductor Week 2019
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] 光熱偏向分光法によるギャップ中準位の評価2019

    • Author(s)
      角谷正友
    • Organizer
      第24回結晶工学セミナー 工学院大学新宿キャンパス
    • Invited
  • [Presentation] Electron transport at the interface of AlGaN/InGaN fabricated on AlN template2019

    • Author(s)
      M. Sumiya, D. Kindole, S. Yashiro, K. Takehana, T. Honda, and Y. Imanaka
    • Organizer
      日本MRS創立30周年記念シンポジウム
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs2019

    • Author(s)
      H. Okumura, Y. Kato, T. Oshima, and T. Palacios,
    • Organizer
      2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Direct Growth of AlGaN/InGaN/GaN Structure on AlN Template for Measurement of Effective Mass in InGaN Layer2019

    • Author(s)
      M. Sumiya, D. Kindole, S. Yashiro, T. Honda, and Y. Imanaka
    • Organizer
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] サイクロトロン共鳴に向けたAlNテンプレート上 AlGaN/InGaNヘテロ構造の成長2019

    • Author(s)
      角谷正友、福田清貴、矢代秀平、本田徹、D. Kindole、竹端寛治、今中康貴
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] InGaN 二次元電子系の有効質量の評価2019

    • Author(s)
      今中康貴、Dickerson Kindole、竹端寛治、角谷正友
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] AlNテンプレート上に成長したGaN薄膜の光熱偏向分光法による評価2019

    • Author(s)
      矢代秀平、本田徹、角谷正友
    • Organizer
      第2回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
  • [Presentation] 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価2019

    • Author(s)
      角谷正友
    • Organizer
      レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • [Presentation] Positron microbeam experiments in AIST2019

    • Author(s)
      Nagayasu Oshima
    • Organizer
      4th Japan-China Joint Workshop on Positron Science
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] 産総研 低速陽電子ビーム利用施設の現状 -寿命測定装置開発とビームライン整備2019

    • Author(s)
      満汐 孝治 、小林 慶規 、オローク・ブライアン、鈴木 良一、 大島 永康
    • Organizer
      第56回アイソトープ・放射線研究発表会
  • [Presentation] 陽電子ビームを用いた消滅ガンマ線ドップラー広がりシステム2019

    • Author(s)
      大島 永康、オローク・ブライアン、満汐 孝治 、折原拓磨、佐藤公法
    • Organizer
      2019年度計量標準総合センター成果発表会
  • [Presentation] 産総研・低速陽電子ビーム施設2019

    • Author(s)
      満汐 孝治 、オローク・ブライアン、大島 永康
    • Organizer
      2019年度量子ビームサイエンスフェスタ
  • [Book] 空孔評価のための陽電子マイクロビーム技術2019

    • Author(s)
      大島永康
    • Total Pages
      3
    • Publisher
      (一社)日本計量振興協会

URL: 

Published: 2021-01-27  

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