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2016 Fiscal Year Annual Research Report

フォノン科学による特異構造3次元分光評価と応用欠陥物性

Planned Research

Project AreaMaterials Science and Advanced Elecronics created by singularity
Project/Area Number 16H06425
Research InstitutionChiba University

Principal Investigator

石谷 善博  千葉大学, 大学院工学研究科, 教授 (60291481)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 篠塚 雄三  和歌山大学, システム工学部, 教授 (30144918)
MA BEI  千葉大学, 大学院工学研究科, 助教 (90718420)
Project Period (FY) 2016-06-30 – 2021-03-31
Keywordsフォノンダイナミクス / 欠陥評価
Outline of Annual Research Achievements

本研究では、結晶の特異構造解析およびキャリアダイナミクス評価をフォノン系に着目して行い、低次元のから3次元までの結晶欠陥やプロセスによる作りこみ構造までの特異構造の近傍における歪やキャリア散乱場の評価、フォノン・キャリアダイナミクスの制御方法の提案を目的としている。研究方法では、実験的にはこれまでの赤外分光を特異構造評価に向けて発展させ、また顕微ラマン分光など局所評価装置を導入して、特異構造の3次元評価を進め、発光解析なども援用して行う。また第一原理計算やフォノン・キャリアダイナミクスの理論計算を行い、実験・理論から総合的に研究を進める。平成28年度はフォノンダイナミクスに基づく特異構造の実験的・理論的評価基盤の整備を目標とした。赤外分光特異構造評価ではFDTD法を用いた3次元電磁場計算による金属/半導体複合構造や加工基板について赤外反射スペクトル解析からこれらの特異構造解析手法が提案された。特に、表面・界面のフォノンを用いたポラリトンを用い、我々が提案した界面分極を考慮した誘電関数の理論式が解析に必要であることを実証した。また、共焦点ラマン分光による3次元欠陥構造評価が開始された。更に、キャリア・フォノン輸送を考慮した励起子解離速度の解析コードが構築され、GaNの蛍光寿命が励起子の高次量子準位のポピュレーション生成により長くなり、局所的フォノン場の解析が必要であることが分かった。フォノン輸送制御では、超格子によるフォノン分散が計算され、フォノンの粒子近似によるヘテロ界面での輸送速度の異方性が示された。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

キャリアダイナミクスでは励起子系ダイナミクスの理論計算、実験的検討が進み、欠陥評価ではフォノンポラリトンを用いた新たな電極・結晶界面評価方法の開拓、欠陥周りのフォノンダイナミクス評価の第一歩を歩みだすことができた。またラマン分光装置が納入され、評価方法の開拓が開始された。これらのことから、概ね順調に進んでいると判断される。

Strategy for Future Research Activity

ラマン分光装置は、H29年度に紫外レーザを導入し、ポンプ・プローブの2レーザ光導入が可能となるシステムが完成する。これを用いてフォノンダイナミクスに着目した欠陥評価を進める。
またフォノン制御に焦点を合わせたキャリアダイナミクス評価方法の検討を進める。

  • Research Products

    (17 results)

All 2017 2016 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (13 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results,  Invited: 3 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] lectronic structure calculation of Si1-xSnx compound alloy using interacting quasi-band theory2017

    • Author(s)
      M. Oda, Y. Kuroda, A. Kishi, and Y. Shinozuka
    • Journal Title

      Physica Status Solidi B

      Volume: 254 Pages: 1600519-1,7

    • DOI

      10.1002/pssb.201600519

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Raman study of the quantum interference of multiple discrete states and a continuum of states in the phonon energy region of semiconductors: examples of p-type Ga0.5In0.5P films2016

    • Author(s)
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • Journal Title

      Journal of Physics D

      Volume: 49 Pages: 351107-1,13

    • DOI

      10.1088/0022-3727/49/37/375107

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] AlN/金属ストライプ構造のラマン散乱スペクトルにおけるA1-E1選択則の崩れに関する検討2017

    • Author(s)
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] 磁場下赤外反射分光によるInN電子有効質量の解析2017

    • Author(s)
      松本大,馬ベイ, 森田健,福井一俊,木村真一,飯塚拓也
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] GaNにおける励起子及び自由キャリアの密度とレート係数の理論計算2017

    • Author(s)
      大木 健輔, 野町健太郎, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算2017

    • Author(s)
      野町健太郎, 大木健輔, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [Presentation] Phononic phenomenon in carrier dynamics and interaction with radiation in III-nitride materials2017

    • Author(s)
      Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Kensuke Okim Hironori Sakamoto, and Ken Morita
    • Organizer
      Third Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Tohoku University
    • Year and Date
      2017-01-16 – 2017-01-18
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Phonon Engineering of Semiconductors in THz frequency region2016

    • Author(s)
      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Bei Ma, and Ken Morita
    • Organizer
      International Conference on Science and Engineering
    • Place of Presentation
      Yangon, Myanmar
    • Year and Date
      2016-12-10 – 2016-12-11
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Electronic transition dynamics of deep levels in a p-GaN film analysed by time resolved PL measurements using two excitation laser beams2016

    • Author(s)
      Hla Myo Tun, Ryo Shouji, Bei Ma, Ken Morita, Kenji Shiojima
    • Organizer
      International Conference on Science and Engineering
    • Place of Presentation
      Yangon, Myanmar
    • Year and Date
      2016-12-10 – 2016-12-11
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 窒化物混晶半導体のIQB理論による電子状態計算2016

    • Author(s)
      岸 彩香、小田 将人、篠塚 雄三
    • Organizer
      第27回 光物性研究会
    • Place of Presentation
      神戸大学
    • Year and Date
      2016-12-03
  • [Presentation] Exciton dynamics and stability of GaN in non-thermal equilibrium state by the analysis taking into account the higher-order exciton states2016

    • Author(s)
      Yoshihiro Ishitani, K. Takeuchi, T. Iwahori, K. Oki, K. Nomachi, B. Ma, K. Morita, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016
    • Place of Presentation
      Orlando, U.S.A.
    • Year and Date
      2016-10-02 – 2016-10-07
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Simulation of carrier-exciton-phonon dynamics in GaN in non-equilibrium state2016

    • Author(s)
      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016
    • Place of Presentation
      Orlando, U.S.A.
    • Year and Date
      2016-10-02 – 2016-10-07
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] GaNにおける励起子・励起子分子準位間遷移過程の理論計算2016

    • Author(s)
      野町健太郎, 岩堀友洋, 大木健輔, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Presentation] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films2016

    • Author(s)
      石谷善博
    • Organizer
      第77回秋季応用物理学会学術講演会優秀論文賞受賞記念講演
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
    • Invited
  • [Presentation] フォノンの吸放出による電子・励起子系エネルギーの励起過程2016

    • Author(s)
      馬ベイ,三宅 秀人,平松 和政,石谷 善博
    • Organizer
      第77回秋季応用物理学会学術講演会優秀論文賞受賞記念講演
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ
    • Year and Date
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [Remarks] 量子デバイス物性研究室ホームページ

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/index.html

  • [Patent(Industrial Property Rights)] 赤外光素子2016

    • Inventor(s)
      石谷善博
    • Industrial Property Rights Holder
      石谷善博
    • Industrial Property Rights Type
      特許特願平2016-144974
    • Industrial Property Number
      特願平2016-144974
    • Filing Date
      2016-07-23

URL: 

Published: 2018-01-16  

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