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2019 Fiscal Year Annual Research Report

結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索

Planned Research

Project AreaMaterials Science and Advanced Elecronics created by singularity
Project/Area Number 16H06428
Research InstitutionYamaguchi University

Principal Investigator

山田 陽一  山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授 (00251033)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 倉井 聡  山口大学, 大学院創成科学研究科, 助教 (80304492)
Project Period (FY) 2016-06-30 – 2021-03-31
Keywords結晶特異構造 / 混晶不均一系 / 低次元不均一系 / 局在効果 / 励起子 / 内部量子効率 / 窒化物半導体 / 励起子工学
Outline of Annual Research Achievements

混晶における組成揺らぎや低次元構造における量子サイズ揺らぎなど、構造的不完全性に起因した結晶特異構造に着目し、不均一局在系における励起子の輻射・非輻射再結合ダイナミクスと内部量子効率の相関を解析した。また、光励起による誘導放出の測定を行い、誘導放出機構への励起子の寄与を考察した。
InGaN混晶不均一系に関しては、近紫外、青色、緑色InGaN量子井戸構造を対象として、温度と励起パワー密度を測定パラメータとした発光分光測定により内部量子効率を導出した。また、励起子レート方程式を用いて内部量子効率曲線をフィッティング解析することにより、励起子の全再結合レートに占める非輻射再結合レートの割合を導出し、その温度上昇に伴う増加率を解析した。一方、時間分解発光分光法により非輻射再結合寿命の温度依存性を解析し、励起子の輻射再結合レートと非輻射再結合中心への励起子の捕獲レートの比を導出した。この値は、上述した励起子レート方程式を用いたフィッティング解析の結果と比較することができ、異なる2種類の測定により得た物理量が定量的に一致することを明らかにした。
AlGaN混晶不均一系に関しては、UV-C帯に基礎吸収端を有するAlGaN量子井戸構造を対象として、光励起誘導放出の測定を行った。低温10Kから室温295Kまで、自然放出光の高エネルギー側から誘導放出光を観測した。室温における誘導放出光の波長は270nmであった。誘導放出に対するしきい励起キャリア密度は、10Kでは1.4×1018cm-3、295Kでは3.6×1018cm-3であった。励起子モット転移密度を計算すると3×1018cm-3となることから、低温領域だけではなく、室温付近においても励起子が誘導放出機構に関与していることが分かる。また、誘導放出光スペクトルには縦モードが観測されたことから、レーザ発振が生じていることを明らかにした。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

AlGaN混晶不均一系に関しては、AlGaN量子井戸構造の光機能性の評価として、光ポンピングによる深紫外域での誘導放出の観測に成功した。その誘導放出光スペクトルには縦モードが観測されたことから、レーザ発振が生じていることも確認した。誘導放出に対する励起キャリア密度のしきい値は、低温では励起子モット転移密度よりも低く、室温においても同程度であることから、本研究で得られた実験結果はAlGaN量子井戸構造における誘導放出機構に励起子が関与していることを示すものであると考えられる。一方、InGaN混晶不均一系に関しては、近紫外から青、緑色発光波長までIn混晶組成比を変化させたInGaN量子井戸構造の内部量子効率測定と時間分解発光分光測定を行い、2つの異なる測定・解析から同じ物理量(励起子の輻射再結合レートと非輻射再結合中心への捕獲レートの比)を導出し、それらが定量的に一致することを明らかにした。このことは、我々が提案している内部量子効率の測定法と励起子レート方程式モデルの妥当性を示すものであると考えられる。

Strategy for Future Research Activity

AlGaN系量子井戸構造の誘導放出特性について、誘導放出に対する励起キャリア密度のしきい値と測定対象試料の品質との相関、すなわち、非輻射再結合過程が誘導放出特性に与える影響を解明する。フォトルミネッセンスの励起パワー密度依存性と温度依存性を組み合わせた測定により、測定対象試料の内部量子効率を定量的に評価し、励起子レート方程式を用いた効率曲線のフィッティング解析により、全再結合レートに占める非輻射再結合レートの割合を定量的に導出する。その上で、誘導放出に対する励起キャリア密度のしきい値との相関を解明する。
次に、誘導放出に対する励起キャリア密度のしきい値と励起子系の局在の度合いとの相関、すなわち、励起子系の局在化が誘導放出特性に与える影響を解明する。温度上昇による熱エネルギー増大に伴う励起子系の非局在化が誘導放出特性に与える影響を解明するために、極低温から室温までの温度領域に加えて、室温から高温領域(~750 K)において光ポンピングによる誘導放出を観測し、励起子系の非局在化が誘導放出のしきい値に与える影響を解明する。
上記の測定・解析結果に基づいて、非輻射再結合過程や局在化、低次元化が誘導放出特性に与える影響を系統的に理解する。その上で、励起子系の輻射再結合過程を利用した光学利得生成を最大限に引き出すための量子井戸レーザ構造の最適化を図る。励起子分子や励起子-励起子間の非弾性散乱過程など、励起子多体効果に基づく輻射再結合過程の中で、どの過程が最も低いしきい値を与えるのか、光ポンピングによる測定、解析結果に基づいて解明し、超低しきい値励起子レーザの動作実証と構造最適化を構築する。

  • Research Products

    (25 results)

All 2020 2019

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (22 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results)

  • [Journal Article] Beyond 53% internal quantum efficiency in a AlGaN quantum well at 326 nm UVA emission and single-peak operation of UVA LED2020

    • Author(s)
      Khan M. Ajmal、Takeda Ryohei、Yamada Yoichi、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki
    • Journal Title

      Optics Letters

      Volume: 45 Pages: 495~498

    • DOI

      10.1364/OL.376894

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Analysis of efficiency curves in near-UV, blue, and green-emitting InGaN-based multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination2019

    • Author(s)
      Murotani Hideaki、Shibuya Kazunori、Yoneda Ayumu、Hashiguchi Yuki、Miyoshi Hiroyuki、Kurai Satoshi、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Yano Yoshiki、Tabuchi Toshiya、Matsumoto Koh、Yamada Yoichi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 58 Pages: SCCB02~SCCB02

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab040b

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Temperature-dependent cathodoluminescence mapping of InGaN epitaxial layers with different In compositions2019

    • Author(s)
      Kurai Satoshi、Wakamatsu Ayumu、Yamada Yoichi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 58 Pages: SCCB13~SCCB13

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab0cfb

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子の輻射・非輻射再結合レートの励起強度依存性2020

    • Author(s)
      三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 室谷英彰 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率Droop現象の解析2020

    • Author(s)
      室谷英彰 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] アニール処理されたスパッタAlNテンプレート上AlGaN多重量子井戸における内部量子効率のc面サファイアm軸オフ角依存性2020

    • Author(s)
      押村遼太 赤松勇紀 藤井厚志 倉井聡 室谷英彰 上杉謙次郎 三宅秀人 山田陽一
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] InGaN下地層がInGaN/GaN量子井戸の発光強度に与える影響2020

    • Author(s)
      河村澪 岩崎直矢 猪俣祐貴 岡田成仁 倉井聡 山田陽一 只友一行
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 緩和した厚膜InGaN上の長波長MQWの作製と評価2020

    • Author(s)
      岩崎直矢 猪俣祐貴 河村澪 岡田成仁 倉井聡 山田陽一 只友一行
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Role of exciton recombination processes on internal quantum efficiency in AlGaN-based UV-B multiple quantum wells2019

    • Author(s)
      H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • Organizer
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Optically pumped stimulated emission from AlGaN-based UV-C multiple quantum wells with high internal quantum efficiency of 16 % at 750 K2019

    • Author(s)
      H. Murotani, K. Hisanaga, R. Tanabe, A. Hamada, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • Organizer
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Achievement of internal quantum efficiency up to 53 % at 326 nm-UVA emission from AlGaN QWs with engineering of highly relaxed buffer layer2019

    • Author(s)
      M. Ajmal Khan, R. Takeda, H. Miyoshi, Y. Yamada, S. Fujikawa, N. Maeda, M. Jo, and H. Hirayama
    • Organizer
      4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Radiative and nonradiative recombination rates of excitons and their effects on internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-B MQWs2019

    • Author(s)
      H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • Organizer
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Height of potential barrier formed around V-pits in InGaN/GaN quantum wells on moderate-temperature GaN layer2019

    • Author(s)
      S. Kurai, K. Okawa, R. Makio, J. Gao, G. Nobata, N. Hayashi, K. Sugimoto, N. Okada, K. Tadatomo, and Y. Yamada
    • Organizer
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] UV-B帯AlGaN系量子井戸構造におけるレート方程式を用いた発光効率曲線解析と発光ダイナミクスの相関2019

    • Author(s)
      武田椋平 三好博之 中生拓希 室谷英彰 倉井聡 M. A. Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • Organizer
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
  • [Presentation] UV-C帯AlGaN量子井戸構造における光励起誘導放出特性2019

    • Author(s)
      濱田晟 田邉凌平 別府寛太 室谷英彰 倉井聡 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • Organizer
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
  • [Presentation] AlGaN系量子井戸構造における内部量子効率の構造パラメータ依存性2019

    • Author(s)
      藤井厚志 赤松勇紀 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
    • Organizer
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
  • [Presentation] AlGaN系量子井戸構造における局所的高エネルギー発光の構造パラメータ依存性2019

    • Author(s)
      中谷文哉 LI JIN 平山舜 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
    • Organizer
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
  • [Presentation] InGaN系多重量子井戸構造におけるVピット近傍ポテンシャル障壁高さの中温GaN層厚依存性2019

    • Author(s)
      林直矢 槇尾凌我 高俊吉 湯浅翔太 倉井聡 岡田成人 只友一行 山田陽一
    • Organizer
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
  • [Presentation] AlGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析2019

    • Author(s)
      三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 室谷英彰 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] AlGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析(2)2019

    • Author(s)
      室谷英彰 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] AlGaN量子井戸構造における深紫外誘導放出の温度依存性2019

    • Author(s)
      田邉凌平 久永桂典 濱田晟 別府寛太 倉井聡 室谷英彰 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] AlGaN多重量子井戸構造における内部量子効率の井戸幅および障壁層Al組成比依存性2019

    • Author(s)
      赤松勇紀 藤井厚志 倉井聡 室谷英彰 三宅秀人 山田陽一
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 緑色InGaN系量子井戸構造における内部量子効率曲線のフィッティング解析2019

    • Author(s)
      橋口勇樹 永見祐二 中津留圭吾 倉井聡 岡田成仁 只友一行 室谷英彰 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 量子井戸構造の成長条件が異なる緑色InGaN量子井戸構造における近接場光学顕微分光測定2019

    • Author(s)
      槇尾凌我 高俊吉 林直矢 湯浅翔太 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] AlGaN多重量子井戸構造における転位近傍の局所的高エネルギー発光の顕微分光評価2019

    • Author(s)
      LI JIN 中谷文哉 平山舜 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会

URL: 

Published: 2021-01-27  

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