2010 Fiscal Year Annual Research Report
パルス励起堆積法による窒化インジウム系半導体の低温成長
| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
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| Project/Area Number |
18069003
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
藤岡 洋 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (50282570)
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| Keywords | 窒化インジウム / パルス励起堆積法 / 低温成長 / 赤外発光素子 / 高速電子素子 |
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| Research Abstract |
本研究の目的は、パルス堆積法と呼ばれる新しいInN系窒化物半導体の低温成長技術を開発することによって極めて高品質なInNやその混晶(InAlN、InGaN)を成長し、pn制御や急峻なヘテロ接合を実現することである。平成22年度では、平成21年度までに開発したパルス励起堆積法による低温成長技術を用いてInN系窒化物半導体の極性制御技術や半極性面成長技術の確立、偏光特性の解明を行った。さらに、これまでに開発した技術を統合して素子作製を行い、パルス励起堆積低温成長技術の有用性を確かめた。具体的には、InN薄膜の極性制御法の確立、半極性面InAlN薄膜の成長、InGaN偏光特性の歪依存性の解明、pn接合形成による発光ダイオードの作製を行った。
格子不整が小さいYSZ基板上にc面InN薄膜成長を行ったところ、基板表面のアニール処理条件に依ってYSZ基板表面の状態が変化し、InN薄膜の極性を制御できることが明らかになった。また、半極性面ZnO基板上InAlN薄膜成長を行ったところ、室温成長を行うことによってInAlN/ZnOの界面反応を抑制でき、高品質な半極性面InAlN薄膜の成長が可能になることを見出した。さらに、これまでに開発した技術を統合してパルス励起堆積法によるInGaN系発光ダイオードの作製を行ったところ、可視光全域をカバーする電流注入発光が明瞭に観測され、本提案のパルス励起堆積法がInN系窒化物半導体薄膜成長技術として極めて有望であることが示された。
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[Presentation] Al2O3/InN界面の電子状態評価2011
Author(s)
大久保佳奈, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
Organizer
春季第58回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
(予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
Year and Date
2011-03-25
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[Presentation] マイカ基板を用いたIII族窒化物LEDの作製2011
Author(s)
野村周平, 田村和也, 太田実雄, 井上茂, 藤岡洋
Organizer
春季第58回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
(予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
Year and Date
2011-03-24
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