2007 Fiscal Year Annual Research Report
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
|---|
| Project/Area Number |
18069004
|
|---|
| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
|---|
Principal Investigator |
纐纈 明伯 Tokyo University of Agriculture and Technology, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 (10111626)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
熊谷 義直 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 准教授 (20313306)
村上 尚 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 助教 (90401455)
|
|---|
| Keywords | 窒化物半導体 / 厚膜エピタキシー / 自立基板結晶 / A1系窒化物 / 原料分子制御法 / HVPE成長 / A1N / A1GaN |
|---|
| Research Abstract |
平成19年度の本研究分野の研究計画およびその成果について述べる。
1.高品質AINの厚膜成長を目指す
AI系原料としてAICI_3を用いる原料分子制御HVPE法による高品質でかつ厚膜成長条件の確立を行った。その成果は、Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L389-L391「Preparation of a Freestanding AIN Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy at 1230℃ Using (lll)Si as a Starting Substrate」にて発表。
2.均一なAlGaN三元混晶の厚膜成長を目指す
AlCl_3-GaCl系を用いた原料分子制御HVPE法により、気相-固相関係を明らかにするとともに、成長膜厚および析出組成の均一性が5%以内の均一成長に成功した。J. Cryst. Growth 305(2007)335-339「HVPE growth of AlxGal-xN ternary alloy using A1C13 and GaCl」などに発表。
3.熱力学解析成長シュミレーションによる最適な成長条件の探索AIN, AlGaNおよびlnNの成長条件と成長の駆動力の関係を明らかにした。例えば、J. Cryst.Growth 305 (2007) 57-61「Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InC13 using In metal andCI2」などに発表。
4.結晶評価成長
作製した厚膜エピタキシヤル膜の物性評価を、X線回折、光吸収、CL測定、および昨年度経費でマップ部分のソフトを購入したPL測定、およびレーザーラマンを用いて結晶評価を行った。
|
-
-
-
-
-
[Journal Article] Al- and N-polar AIN laters layers on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD2007
Author(s)
M. Takeuchi, H. Shimizu, R.Kajitami, K. Kawasaki, T.Kinoshita, K. Takada, H. Murakami, Y.Kumagai, Y. Kumagai, A. Koukitu, T. Koyama, S.F.Chichibue, Y. Aoyagi
-
Journal Title
Jpn. J. Appl. Phys. 305
Pages: 360-365
Peer Reviewed
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
