2007 Fiscal Year Annual Research Report
高品質AlGaN結晶の成長と紫外・深紫外発光デバイス
| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
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| Project/Area Number |
18069009
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| Research Institution | Kogakuin University |
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Principal Investigator |
川西 英雄 Kogakuin University, 工学部, 教授 (70016658)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
長谷川 文夫 工学院大学, 工学部, 教授 (70143170)
本田 徹 工学院大学, 工学部, 教授 (20251671)
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| Keywords | 深紫外半導体レーザ / 歪み制御 / 窒化物半導体 / バッフア層 / エピタキシャル成長 |
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| Research Abstract |
本研究の目的を要約すると、発光デバイスを実現するために、用いられるAIGaNの結晶品質を如何に高品質するかを明らかにするとともに、高品質化したAIGaNにより、紫外から深紫外域における発光デバイスを実現することである。
平成19年度には、AIGaNの発光強度を改善できる手法として、「交互供給法」を我々はこれまでに提案してきたが、本方法によって結晶の「何が」改善されているのかを解明した、その可能性を提案した。すなわち、「交互供給法」により成長したエピタキシャル成長結晶では、結晶学的な特性(X線ロッキングカーブにおけるωスキャン、及びφスキャンの半値幅に、通常の同じ供給法による結晶と、交互供給法による結晶とでは明らかな差違は認められない)には差がないことが分かった。一方、発光効率、半導体レーザの発振閾値には、大きな差が認められ、また、その発光特性も異なっていた。その理由として、我々は、結晶内に存在する「点欠陥」に注目し、交互供給法によってそれが減少しているのではないか、その可能性を指摘した。
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