2009 Fiscal Year Annual Research Report
高品質AIGaN結晶の成長と紫外・深紫外発光デバイス
| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
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| Project/Area Number |
18069009
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| Research Institution | Kogakuin University |
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Principal Investigator |
川西 英雄 Kogakuin University, 工学部, 教授 (70016658)
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| Keywords | 深紫外半導体レーザ / 量子井戸 / 窒化物半導体 / ワイドギャップ / エピタキシャル成長 |
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| Research Abstract |
本研究は、極限まで高品質化したAlGaNを利用し、電流注入型深紫外域半導体レーザを世界に先駆けて実現するための基礎を整備するものである。
これまでの研究過程から、特に、Al組成の高いAlGaNでは、Mgをp型不純物とし、p型導電性を実現することは、Mg材料の限界であると判断し、本年度の中で、研究方針を大きく転換し、新しい元素によるp型化に挑戦した。
その結果、現時点では公開に至っていないが、本研究課題を達成できる元素に、本研究の実施の結果、ようやくたどることが出来たようで、現在、実験結果の整理と研究データの妥当性を確認の作業を進めている最中である。
すなわち、これまでの常識を打ち破る、新しいp型電気伝導性制御の実現への突破口が、本研究の平成21年度研究成果として達成でき、電流注入型AlGaN深紫外半導体レーザの実現を目指す本研究の目的に合致した研究結果が、初めて確認できつつあり、新しい研究への展開が可能となってきた。
尚、詳しい内容は、論文等の公表の後、明らかにしたい。
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