2007 Fiscal Year Annual Research Report
RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成
| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
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18069012
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| Research Institution | Ritsumeikan University |
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Principal Investigator |
名西 やす之 Ritsumeikan University, 理工学部, 教授 (40268157)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
荒木 努 立命館大学, 理工学部, 准教授 (20312126)
山口 智広 立命館大学, 総合理工学研究機構, 研究員 (50454517)
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| Keywords | InN / RF-MBE / p形ドーピング / 無極性 / ナノコラム |
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| Research Abstract |
・新たな無極性面InN結晶成長として、(100)LiAlO_2基板上にM面(10-10)InNの結晶成長を行った。V/III比を最適化することで、C面InNの混在を抑制し、(10-10)InN//(100)LiAlO_2、[0001]InN//[010]LiAlO_2、[1-210]InN//[001]LiAlO_2の関係を持ってシングルドメインのM面InNを成長できることを明らかにした。
・無極性面p形InNの検討として、R面サファイア基板上へのMgドープA面InN結晶成長とその特性評価を行った。ECV評価の結果より、MgドープA面InNにおいてもMgドープC面InN同様に、結晶内部のバルク領域でp形伝導性を示していると考えられる結果が得られた。
・高品質結晶成長実現へのアプローチとして、加工基板を用いた配列制御InNナノコラムの成長を行った。ホールパターンの形状および成長条件を最適化することにより、InNナノコラムの配列制御が可能であることを見出した。また断面TEM観察の結果、ほとんどのInNナノコラムにおいて螺旋転位、刃状転位ともに発生していないことが明らかとなった。
・赤外カソードルミネッセンス(CL)法を用いて、貫通転位が発光特性に与える影響について検討を行った。貫通転位密度の異なる試料のCL結果より、InNにおいても貫通転位がCLの非発光領域として影響することが明らかとなった。
・本年度導入した新規RF-MBE成長装置を用いて、GaNテンプレート基板上へ平坦な表面モフォロジー(AFM RMS値0.5nm)、良好な結晶性(XRC FWHM(0002)面で8min.、(10-12)面で25min.)、電気的特性(キャリア濃度10^<18>/cm^3台前半、移動度1200cm^2/Vs以上)を有する高品質InN結晶を安定して得られるにいたっている。
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[Journal Article] Role of localized donor states in transport and photoluminescence of InN revealed by hydrostatic pressure studies2007
Author(s)
T. Susuki, A. Kaminska, G. Franssen, H, Teisseyre, L.H. Dmowski, J.A. Plesiewicz, H.L. Lu, W.J. Schaff, M. Kurouchi, and Y. Nanishi
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Journal Title
phys. stat. sol.(b) 244
Pages: 1825-1828
Peer Reviewed
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[Journal Article] M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi2007
Author(s)
M. Nods, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
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Journal Title
phys. stat. sol.(c) 4
Pages: 2560-2563
Peer Reviewed
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[Presentation] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007
Author(s)
D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M.Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz
Organizer
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
Place of Presentation
MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
Year and Date
2007-09-21
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[Presentation] Study on surface electron accumulation on A-plane InN by electrolyte-based capacitance-voltage measurements2007
Author(s)
M. Nods, S. Fukumoto, D. Muto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi and W. Walukiewicz
Organizer
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
Place of Presentation
MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
Year and Date
2007-09-20
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[Presentation] ECV方を用いたA面InNの表面電荷蓄積層の評価2007
Author(s)
野田光彦、武藤大祐、K. M. Yu, R. E. Jones, W. Walikiewicz, 山口智広、荒木努、名西〓之
Organizer
2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
Place of Presentation
北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
Year and Date
2007-09-06
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