RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成

2009 Fiscal Year Annual Research Report

• Project Area: Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential-
• Project/Area Number: 18069012
• Research Institution: Ritsumeikan University
• Principal Investigator: 名西 やす之 Ritsumeikan University, 理工学部, 教授 (40268157)
• Keywords: 窒化インジウム / 分子線エビタキシー法 / その場観察 / RHEED / ラジカルビーム / 光反射率 / 多重量子井戸

Research Abstract

本年度は、DERI法を用いたInNおよび関連混晶成長メカニズムの理解、およびこれに基づくナノ構造の作製に関する検討を実施した。まず、その場観察手法を用いたDERI法InN成長メカニズムの検討においては、成長中の光反射率モニタリング、in-situSEMによる成長表面観察により検討を進めた。DERI法によるInN成長中の成長基板表面からの光反射率の時間変化を測定した結果、Inドロップレットの形成過程およびNラジカル照射によるその消失過程をRHBED強度振動と同様に光反射率測定によってもモニタリング可能であることがわかった。これらの各種その場観察評価によって得られた結果から、DERI法InN成長メカニズムとして、InN表面上へのIn Wetting LayerとInドロップレットの形成と消失過程からなるモデルを提案した。
続いて、DERI法を用いたInN/InGaN多重量子井戸構造作製を行った。DERI法をInGaN成長に応用した場合、Gaが選択的にInGaN中に取り込まれ、InGaNに取り込まれなかったInは表面にドロップレットとして偏析する。そして、Nラジカルビーム照射によりこのInがInNに変換形成される。本検討ではこのプロセスを繰り返すことによるInN/InGaN多重量子井戸構造(MQW)の作製を試みた。その結果、XRD評価においては、高次までのサテライトピークが確認され、TEMにおいても周期構造が確認されたことから本手法がInN/InGaN MQW構造の作製に対しても有効であることが示された。またInGaN成長時のInビーム量を変えることで、InGaN表面に析出するInドロップレット量を変化させ、Nラジカルビーム照射で形成するInN井戸層厚のみを変化できることがわかった。以上の結果は、DERI法を用いた新しいデバイス構造作製の可能性を大いに示すものである。

Research Products

• [Journal Article] Hydrogen in InN : a Ubiquitous Phenomenon in Molecular Beam Epitaxy Grown Material (2010)
  • Author(s): V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, B.Monemar, M.Schubert, N.Franco, C.L Hsiao, L.C.Chen, J.Schaff, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
  • Journal Title: Appl.Phys.Lett. 96 Pages: 081907/1-3
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers (2010)
  • Author(s): K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
  • Journal Title: phys.stat.sol.(a) (印刷中)
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE (2009)
  • Author(s): T.Araki, D.Fukuoka, H.Tamiya, S.Harui, T.Yamaguchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
  • Journal Title: SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216 Pages: 72160N-1-8
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE (2009)
  • Author(s): 山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
  • Journal Title: J.Cryst.Growth 311 Pages: 2780-2782
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy (2009)
  • Author(s): 山口智広, 名西〓之
  • Journal Title: Applied Physics Express 2 Pages: 051001-1-3
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology (2009)
  • Author(s): 山口智広, 名西〓之
  • Journal Title: phys.stat.sol.(a) 207 Pages: 19-23
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Raman-Scattering Study of the Long-Wavelength Longitudinal-Optical-Phonon-Plasmon Coupled Modes in High-Mobility InN Layers (2009)
  • Author(s): R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
  • Journal Title: Phys.Rev.B 79 Pages: 155210-1-9
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Photoexcited Carriers and Surface Recombination Velocity in InN Epilayers : A Raman Scattering Study (2009)
  • Author(s): R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
  • Journal Title: Phys.Rev.B. 80 Pages: 155204-1-7
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire 基板上、半極性面InNの結晶成長 (2009)
  • Author(s): 中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
  • Journal Title: 電気学会論文誌C電子・情報・システム部門誌 129 Pages: 1974-1977
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Electron Accumulation at Nonpolar and Semipolar Surfaces of Wurtzite InN from Generalized Infrared Ellipsometry (2009)
  • Author(s): V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, B.Monemar, Ching-Lien Hsiao, Ting-Wei Liu, Li-Chyong Chen, W.J.Schaff, Y.Takagi, Y.Nanishi
  • Journal Title: Appl.Phys.Lett. 95 Pages: 202103/1-3
  • Peer Reviewed
• [Presentation] Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface (2010)
  • Author(s): 王科、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学(平塚市)
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] In組織揺らぎのメカニズム解明に向けたRF-MBE成長InGaNのCL測定評価 (2010)
  • Author(s): 木村拓也、福本英太、山口智広、王科、金子昌充、武田彰史、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学(平塚市)
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] A面InN成長のための低温InNバッファ層最適成長条件の検討 (2010)
  • Author(s): 荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
  • Organizer: 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学(平塚市)
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] LiAlO_2(100)板上M面InN低温バッファ層利用に向けたM面GaN下地層の有効性 (2010)
  • Author(s): 香川和明、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学(平塚市)
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] C面、A面、M面InNの表面化学状態の解析 (2010)
  • Author(s): 高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学(平塚市)
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] 硬X線光電子分光によるInNバルク評価 (2010)
  • Author(s): 金子昌充、山口智広、井村将隆、山下良之、名西〓之
  • Organizer: 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学(平塚市)
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-Beam Irradiation (2010)
  • Author(s): H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
  • Organizer: ISPlasma2010
  • Place of Presentation: 名古屋(日本)
  • Year and Date: 2010-03-09
• [Presentation] In Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE (2010)
  • Author(s): K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
  • Organizer: ISPlasma2010
  • Place of Presentation: 名古屋(日本)
  • Year and Date: 2010-03-09
• [Presentation] New Reproducible MBE Growth method for High Quality InN and InGaN (2009)
  • Author(s): 名西〓之, 山口智広
  • Organizer: Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics'(WOFE 09)
  • Place of Presentation: リンコン(プエルトリコ)
  • Year and Date: 2009-12-14
• [Presentation] Raman Scattering by LO-Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN Epilayers : Dependence on the Excitation Laser Intensity and Wavelength (2009)
  • Author(s): R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon-Llado, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
  • Organizer: 2009 MRS Fall Meeting
  • Place of Presentation: ボストン(アメリカ)
  • Year and Date: 2009-12-01
• [Presentation] RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長-配列制御InNナノコラム成長について- (2009)
  • Author(s): 荒木努、山口智広、金子昌充、名西〓之
  • Organizer: 2009年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • Place of Presentation: 徳島大学(徳島市)
  • Year and Date: 2009-11-19
• [Presentation] RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 (2009)
  • Author(s): 山口智広、名西やすし
  • Organizer: 2009年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • Place of Presentation: 徳島大学(徳島市)
  • Year and Date: 2009-11-19
• [Presentation] InNナノウォールの作製と評価 (2009)
  • Author(s): 片岡佳大、岩本亮輔、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
  • Place of Presentation: 名古屋大学(名古屋市)
  • Year and Date: 2009-11-14
• [Presentation] DERI法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価 (2009)
  • Author(s): 山口智広、荒木努、王科、岩本亮輔、名西やすし
  • Organizer: 第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
  • Place of Presentation: 名古屋大学(名古屋市)
  • Year and Date: 2009-11-14
• [Presentation] DERI法を用いたInN/InGaN量子井戸構造の作製 (2009)
  • Author(s): 梅田英知、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
  • Place of Presentation: 名古屋大学(名古屋市)
  • Year and Date: 2009-11-13
• [Presentation] InNへのMgドーピングにおける成長条件依存性 (2009)
  • Author(s): 岩本亮輔、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
  • Place of Presentation: 名古屋大学(名古屋市)
  • Year and Date: 2009-11-13
• [Presentation] 窒化インジウム半導体の進展 (2009)
  • Author(s): 名西〓之
  • Organizer: 第25回京都賞記念ワークショップ先端技術部門
  • Place of Presentation: 国立京都国際会館(京都市)
  • Year and Date: 2009-11-12
• [Presentation] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire 基板上InNの結晶成長 (2009)
  • Author(s): 川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 平成21年電気関係学会関西支部連合大会
  • Place of Presentation: 大阪大学(吹田市)
  • Year and Date: 2009-11-07
• [Presentation] RF-MBE法を用いたLiAlO_2(100)基板上へのInNの結晶成長 (2009)
  • Author(s): 香川和明、高木悠介、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 平成21年電気関係学会関西支部連合大会
  • Place of Presentation: 大阪大学(吹田市)
  • Year and Date: 2009-11-07
• [Presentation] Observation of Surface Potential on Polar and Nonpolar InN by Kelvin-Probe Force Microscopy (2009)
  • Author(s): M.Kaneko, Y.Takagi, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
  • Organizer: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
  • Place of Presentation: チェジュ(韓国)
  • Year and Date: 2009-10-23
• [Presentation] Hydorogen in InN (2009)
  • Author(s): V.Darakchieva, K.Lorenz, N. P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, Y. Nanishi
  • Organizer: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009)
  • Place of Presentation: チェジュ(韓国)
  • Year and Date: 2009-10-23
• [Presentation] RF-MBE Growth and Characterization of M-Plane InN on LiAlO2 with C-Plane Phase Inclusion (2009)
  • Author(s): T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, T.Sakamoto, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
  • Organizer: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
  • Place of Presentation: チェジュ(韓国)
  • Year and Date: 2009-10-22
• [Presentation] Proposal of Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for Reproducible Growth of High-quality InN and InGaN (2009)
  • Author(s): T.Yamaguchi, A.Uedono, T.Suski, Y.Nanishi
  • Organizer: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
  • Place of Presentation: チェジュ(韓国)
  • Year and Date: 2009-10-22
• [Presentation] Polarized Photoluminescence from Nonpolar InN Films (2009)
  • Author(s): K.Wang, T.Yamaguchi, K.Kawashima, Y.Takagi, T.Araki, Y.Nanishi
  • Organizer: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
  • Place of Presentation: チェジュ(韓国)
  • Year and Date: 2009-10-19
• [Presentation] Photoexcited Carriers in InN Layers Observed by Raman Scattering (2009)
  • Author(s): R.Cusco, E.Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
  • Organizer: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
  • Place of Presentation: チェジュ(韓国)
  • Year and Date: 2009-10-19
• [Presentation] Growth of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation (2009)
  • Author(s): 山口智広, 名西〓之
  • Organizer: 2009 E-MRS Fall Meeting
  • Place of Presentation: ワルシャワ(ポーランド)
  • Year and Date: 2009-09-15
• [Presentation] Influence of Defects, Dopants and Surface Orientation on Free Carrier Properties of InN (2009)
  • Author(s): V.Darakchieva, M.Schubert, E.Alves, K.Lorenz, M.-Y.Xie, T.Hofmann, W.J.Schaff, L.C.Chen, L.W.Tu, Y.Nanishi
  • Organizer: 2009 E-MRS Fall Meeting
  • Place of Presentation: ワルシャワ(ポーランド)
  • Year and Date: 2009-09-15
• [Presentation] Al簿膜堆積によるC面InNの表面改質効果 (2009)
  • Author(s): 高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学(富山市)
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] 極性及び無極性InNの表面電位評価 (2009)
  • Author(s): 金子昌充、川島圭介、山口智広、名西〓之
  • Organizer: 2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学(富山市)
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] CTLM法によるIn極性及びN極性の高品質InN簿膜綴へのコンタクト抵抗評価 (2009)
  • Author(s): 森本健太、菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西〓之
  • Organizer: 2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学(富山市)
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] DERI法により作製されたInNの光反射率その場観察 (2009)
  • Author(s): 王科、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学(富山市)
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] カソードルミネッセンス法によるr面サファイア基板上InN薄膜の光学的評価 (2009)
  • Author(s): 武田彰史、川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学(富山市)
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] 高品質InN上薄膜AlN成長構造の作成と電気的特性の評価 (2009)
  • Author(s): 菊池将悟、山口智広、前田就彦、名西〓之
  • Organizer: 2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学(富山市)
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] RF-MBE InN成長におけるDERI法の有用性 (2009)
  • Author(s): 山口智広、王科、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学(富山市)
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] Proposal of New RF-MBE Method Capable for Reproducible, High-Quality InN Growth (2009)
  • Author(s): 名西〓之, 山口智広
  • Organizer: 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ACCGE-17)
  • Place of Presentation: ウィスコンシン(アメリカ)
  • Year and Date: 2009-08-13
• [Presentation] Characterization of Metal Contact Resistance Using At, Ti, and Ni on High-Quality InN Films Grown by RF-MBE (2009)
  • Author(s): 菊池将悟, 前田就彦, 山口智広, 名西〓之
  • Organizer: 28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
  • Year and Date: 2009-07-10
• [Presentation] Plarized Photoluminescence from Polar and Nonpolar InN Films (2009)
  • Author(s): 王科, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
  • Organizer: 28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
  • Year and Date: 2009-07-09
• [Presentation] Evaluation of Surface Fermi Level of MBE-Grown InN by Kelvin-Probe Force Microscopy (2009)
  • Author(s): 金子昌充, 山口智広, 名西〓之
  • Organizer: 28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
  • Year and Date: 2009-07-09
• [Presentation] Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE (2009)
  • Author(s): 山口智広, 荒木努, 名西〓之
  • Organizer: 28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
  • Year and Date: 2009-07-08
• [Presentation] Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI (2009)
  • Author(s): T.Yamaguchi, R.Iwamoto, N.Maeda, T.Araki, Y.Nanishi
  • Organizer: 28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
  • Year and Date: 2009-07-08
• [Presentation] Structural Characterization of M-Plane InN Grown on LiAlO2 Substrate with C-Plane Phase Inclusion (2009)
  • Author(s): T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
  • Organizer: 28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
  • Year and Date: 2009-07-08
• [Presentation] V/III Ratiodependence on M-Plane InN Growth on LiAlO2(100)Substrates by RF-MBE (2009)
  • Author(s): 香川和明, 高木悠介, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
  • Organizer: 28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
  • Year and Date: 2009-07-08
• [Presentation] Mg Doping of In-Rich InGaN Grown by RF-MBE (2009)
  • Author(s): 福本英太, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
  • Organizer: 28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
  • Year and Date: 2009-07-08
• [Presentation] Characterization of Contact Resistance of Al, Ti, and Ni in High-Quality InN Films grown by RF-MBE (2009)
  • Author(s): 菊池将悟, 前田就彦, 山口智広, 名西〓之
  • Organizer: Electronic Materials Conference 2009(EMC2009)
  • Place of Presentation: ペンシルバニア(アメリカ)
  • Year and Date: 2009-06-26
• [Presentation] Potential and Challenges of InN and Related Alloys for Advanced Electronic Devices (2009)
  • Author(s): Y.Nanishi, N.Maeda, T.Yamaguchi, M.Kaneko
  • Organizer: 67th Device Research Conference
  • Place of Presentation: ペンシルバニア(アメリカ)
  • Year and Date: 2009-06-23
• [Presentation] Proposal of New RF-MBE Growth Method for Reproducible and High-Quality InN and InGaN (2009)
  • Author(s): 名西〓之, 山口智広
  • Organizer: 15th Semiconducting and Insulating Materials Conference(SIMC-15)
  • Place of Presentation: ヴィリニュス(リトアニア)
  • Year and Date: 2009-06-15
• [Presentation] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology (2009)
  • Author(s): 山口智広, 名西〓之
  • Organizer: E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
  • Place of Presentation: ストラスブルグ(フランス)
  • Year and Date: 2009-06-12
• [Presentation] Raman Scattering and Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN : a Free-Electron Density Study (2009)
  • Author(s): R.Cusco, E., Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
  • Organizer: E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
  • Place of Presentation: ストラスブルグ(フランス)
  • Year and Date: 2009-06-09
• [Presentation] Structural Anisotropy and Free Electron Properties of a-Plane InN (2009)
  • Author(s): V.Darakchieva, N.Franco, M.Schubert, B.Monemar, C.-L.Hsiao, T.-W Liu, L.-C.Chen, D.Muto, Y.Nanishi
  • Organizer: E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
  • Place of Presentation: ストラスブルグ(フランス)
  • Year and Date: 2009-06-09
• [Presentation] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE (2009)
  • Author(s): K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
  • Organizer: The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
  • Place of Presentation: 張家界(中国)
  • Year and Date: 2009-05-26
• [Presentation] Proposal and Potential of Simple, Reproducible, Thick and High Quality InN Growth Method by MBE (2009)
  • Author(s): 名西〓之, 山口智広
  • Organizer: The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
  • Place of Presentation: 張家界(中国)
  • Year and Date: 2009-05-25
• [Presentation] Recent Progress and Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications (2009)
  • Author(s): 名西〓之, 山口智広
  • Organizer: 33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits(WOCSDICE 2009)
  • Place of Presentation: マラガ(スペイン)
  • Year and Date: 2009-05-18
• [Presentation] MBE法によるGaN加工基板上配列制御InNナノコラムの作製 (2009)
  • Author(s): 片岡佳大、田宮秀敏、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
  • Organizer: 第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
  • Place of Presentation: 東京農工大学(小金井市)
  • Year and Date: 2009-05-16
• [Presentation] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE (2009)
  • Author(s): K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
  • Organizer: 第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
  • Place of Presentation: 東京農工大学(小金井市)
  • Year and Date: 2009-05-15
• [Book] "Indium Nitride and Related Alloys" Chapter I Molecular-Beam Epitaxy of InN(edited by T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff) (2009)
  • Author(s): Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
  • Total Pages: 1-50
  • Publisher: CRC
• [Remarks]
  • URL: http://www.ritsumei.ac.jp/se/re/nanishilab/Nanishi-Lab.html
• [Patent(Industrial Property Rights)] 窒化物半導体薄膜の製造方法 (2009)
  • Inventor(s): 山口智広, 名西やす之
  • Industrial Property Rights Holder: 学校法人立命館
  • Industrial Property Number: 2009-119315
  • Filing Date: 2009-05-15