2010 Fiscal Year Annual Research Report
| Project Area | Creation and control of spin current |
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19048003
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
高梨 弘毅 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (00187981)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
白井 正文 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70221306)
山本 眞史 北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (10322835)
黒田 眞司 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 (40221949)
高橋 有紀子 独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター, 研究員 (50421392)
藤森 淳 東京大学, 理学系研究科, 教授 (10209108)
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| Keywords | 磁性 / スピンエレクトロニクス / ナノ材料 / スピン流 / 高スピン偏極 / スピン源 / ハーフメタル / 強磁性半導体 |
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| Research Abstract |
研究項目AO1「スピン源の探索・創製」は、スピン流の源となるスピン源の探索と創製を目的とし、スピン源となる材料の創製(3名)、構造・電子状態の評価(2名)、および理論設計(1名)の計6名の計画研究代表者のグループおよび公募研究代表者6名(うち材料創製4名、評価2名)のグループから構成されている.調整班では、スピン源に関する研究動向の分析とともに、計画研究および公募研究のグループが有機的に連携し、理論設計→材料創製→評価という一貫した共同研究体制ができるように連絡調整を行うことを目的としている。本年度も、各研究代表者による研究動向調査や相互の情報交換を通して、共同研究の促進・発展に努めた。
本年度に開始され、あるいは発展した研究は以下のとおりである。
・Co_2MnSi層あるいはCo_2Fe(Al_<0.5>Si_<0.5>)層とAg非磁性層を組み合わせたCPP-GMR構造を作製し、室温において高い磁気抵抗効果比が得られることを確認した.また、琿論計算と比較することでその発現機構を明らかにした。
・ホイスラー合金とトンネル絶縁層界面におけるノンコリニアな磁気構造とトンネル磁気伝導特性の相関に関する理論計算が行われた。
・磁性半導体であるCoをドープしたTiO_2薄膜において、軟X線磁気円二色性の測定を行い、キャリア誘起強磁性の発現機構を明らかにした。
・四元系磁性半導体である(Cd,Mn,Cr)Te薄膜を分子線エピタキシ法により作製し、その磁気特性を明らかにした。
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