2009 Fiscal Year Self-evaluation Report

Theory of spin injection and spin accumulation in nano-hetero structures

Planned Research

Project Area	Creation and control of spin current
Project/Area Number	19048022
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Review Section	Science and Engineering
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	INOUE Junichiro Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (60115532)
Project Period (FY)	2007 – 2010
Keywords	強磁性半導体接合 / スピン注入 / スピン分極率 / スピンホール効果 / 強磁性体グラフェン接合 / ハーフメタル / 層間交換結合
Research Abstract	磁性と伝導に関わるスピントロニクス分野における重要なキーワードは,「磁場よる電流制御」と「電流による磁性制御」である。本研究では,スピン偏極電流(スピン流)注入によるスピン制御効果の理論的解明を目的とし,次の研究遂行を計画する。 (1) 強磁性体/GaAsトンネル接合におけるスピン注入の計算を実行し,高効率のスピン注入が実現される条件を明らかにする。 (2) 大きなスピン軌道相互作用を有する金属におけるスピンホール効果の機構を解明する。 (3) 新奇な物質であるグラフェンを用いた強磁性接合における伝導現象の特徴を明らかにする。 (4) 強磁性トンネル接合におけるスピン注入トルクの計算を行い,TMR との関連を明らかにする。