配列ナノ空間物質を利用した次世代半導体デバイス

Products Report

• Project Area: New Materials Science Using Regulated Nano Spaces －Strategy in Ubiquitous Elements
• Project/Area Number: 19051017
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Science and Engineering
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: KANAYAMA Toshihiko (TOSHIHIKO Kanayama) 独立行政法人産業技術総合研究所, 情報通信・エレクトロニクス分野, 研究統括 (70356799)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): TADA Tetsuya 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, グループ長 (40188248) ; MIYAZAKI Takehide 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 主任研究員 (10212242) ; UCHIDA Noriyuki 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, 研究員 (60400636)
• Project Period (FY): 2007 – 2011

Research Products

• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体コンタクト構造及びその形成方法 (2014)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 金山 敏彦
  • Industrial Property Rights Holder: 産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2014-503769
  • Filing Date: 2014-08-26
  • Acquisition Date: 2016-11-25
• [Patent(Industrial Property Rights)] THIN FILM OF METAL SILICON COMPOUND AND PROCESS FORPRODUCING THETHIN FILM OFMETAL SILICON COMPOUND (2013)
  • Inventor(s): 金山 敏彦, 内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Number: 10-1228883
  • Acquisition Date: 2013-01-28
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] THIN FILM OF METAL-SILICON COMPOUND AND PROCESS FOR PRODUCING THE THIN FILM OF THE METAL-SILICON COMPOUND (2013)
  • Inventor(s): 金山 敏彦
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 12/919443
  • Acquisition Date: 2013-02-05
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 薄膜トランジスタ (2013)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特願
  • Industrial Property Number: 2010-253936
  • Acquisition Date: 2013-02-15
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体コンタクト構造及びその形成方法 (2013)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: PCT/JP2013/054682
  • Filing Date: 2013-02-25
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 薄膜トランジスタ (2011)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 第4660743号
  • Acquisition Date: 2011-01-14
• [Patent(Industrial Property Rights)] (旧名称)ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法 (新名称)ナノ結晶半導体材料及びその製造方法 (2011)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 金山 敏彦
  • Industrial Property Rights Holder: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2011-199630
  • Filing Date: 2011-09-13
  • Acquisition Date: 2015-05-29
• [Patent(Industrial Property Rights)] 薄膜トランジスタ (2010)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
  • Industrial Property Rights Holder: (独)産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2010-253936
  • Filing Date: 2010-11-12
• [Patent(Industrial Property Rights)] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法 (2010)
  • Inventor(s): 金山 敏彦, 内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: (独)産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2010-207987
  • Filing Date: 2010-09-16
• [Patent(Industrial Property Rights)] 薄膜トランジスタ (2010)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2010-182188
  • Filing Date: 2010-08-17
• [Patent(Industrial Property Rights)] 薄膜トランジスタ (2010)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: PCT/JP2010/064021
  • Filing Date: 2010-08-19
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2010)
  • Inventor(s): 金山 敏彦, 内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 200980106376.8
  • Filing Date: 2010-08-25
  • Acquisition Date: 2014-06-18
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 薄膜トランジスタ (2009)
  • Inventor(s): 内田 紀行, 金山 敏彦
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2009-191603
  • Filing Date: 2009-08-21
• [Patent(Industrial Property Rights)] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • Inventor(s): 金山 敏彦, 内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: (独)産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: PCT/JP2009/053422, 200980106376.8
  • Filing Date: 2009-02-25
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • Inventor(s): 金山 敏彦, 内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: (独)産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: PCT/JP2009/053422, 09714676.5EP
  • Filing Date: 2009-02-25
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • Inventor(s): 金山 敏彦, 内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: (独)産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: PCT/JP2009/053422, 10-2010-7020222
  • Filing Date: 2009-02-25
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • Inventor(s): 金山 敏彦, 内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: PCT/JP2009/053422, 12/919443
  • Filing Date: 2009-02-25
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • Inventor(s): 金山 敏彦, 内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2009-037261
  • Filing Date: 2009-02-20
  • Acquisition Date: 2014-01-31