2008 Fiscal Year Annual Research Report
| Project Area | Nano Materials Science for Atomic Scale Modification |
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19053002
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
山本 剛久 The University of Tokyo, 大学院・新領域創成科学研究科, 准教授 (20220478)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
枝川 圭一 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (20223654)
杉山 正和 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (90323534)
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| Keywords | ナノ機能元素 / 薄膜 / PLD / MOCVD / 転位 / SrTiO3 / 電子状態 / 化合物半導体 |
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| Research Abstract |
本年度は、1PLD法における複合酸化物薄膜中陽イオン比のレーザーフルーエンスの影響2化合物半導体の薄膜中転位構造制御、3GaN単結晶の転位電気伝導、に関する研究を行った。1についてはSTOをモデル材料として選定し、その薄膜中のSr/Ti比のレーザーフルーエンス依存性を調べた。その結果、薄膜中のSr/Ti比はレーザーフルーエンス依存性を示し、臨界値以下ではSr過剰組成となること、臨界値以上ではTi過剰となることが明らかとなった。この臨界値においてはSr/Ti比は化学量論比となること、また、基板との整合性は極めて高い高品質な薄膜材が得照れることがわかった。この複合酸化物における陽イオン比のレーザーフルーエンス依存性は、SrMnO3、LaA103、SrRuO3などの物質においても同様に得照れることが確認できた。今後この機構についてさ照に詳細に検討する予定である。2については、Si基板上への微細加工を施すことによる膜中転位の密度低減を行った。Si基板表面にSiO2膜形成後、約1ミクロン程度の微小孔を開け、露出したSi基板上か照の横方向成長を行うことにより膜中転位密度が極めて低い高品質な結晶膜の作製に成功した。横方向成長した結晶膜において、微小孔上方向には基板か照形成した転位の成長が認め照れたが、SiO2上の膜中では転位密度が大きく減少することが確認された。今後、その界面構造などについて検討していく。3については単結晶GaNを塑性変形させ、導入した転位の電気伝導を直接測定した。導入された転位は刃状転位であり、また、その転位コアを中心として転位に沿った電気伝導を確認した。この電導の機構については現在調査中である。
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