2009 Fiscal Year Annual Research Report
ラットリング物質の探索・創製と電子・格子物性の研究
| Project Area | Emergence of Heavy Electrons and Their Ordering |
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| Project/Area Number |
20102004
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
高畠 敏郎 Hiroshima University, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (40171540)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
菅原 仁 神戸大学, 大学院・理学研究科, 教授 (60264587)
関根 ちひろ 室蘭工業大学, 工学部, 准教授 (60261385)
武田 直也 新潟大学, 自然科学系, 教授 (80242171)
伊賀 文俊 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 准教授 (60192473)
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| Keywords | 物性実験 / 磁性 / 強相関電子系 / 低温物性 / 近藤効果 / ラットリング / カゴ状物質 / 高圧合成 |
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| Research Abstract |
1. カゴ状近藤化合物CeOs_2Al_<10>が28.5Kで奇妙な2次相転移を起こすことを見出した。相転移温度は14Tの磁場をどの方位に印加しても殆ど変化しないので、相転移は磁気秩序とは考えられない。Prlr_2Zn_<20>が0.05Kで超伝導を示すことを発見した。クラスレートK_8Ga_8Sn_<38>ではKゲストが中心で振幅の大きな運動をしていることを確認した。
2. 反強磁性を示す充填スクッテルダイト化合物SmOs_4P_<12>の純良単結晶を育成し、dHvA効果の観測により、サイクロトロン有効質量がLaOs_4P_<12>に比べ約2倍重いことを見いだした。超伝導を示す充填スクッテルダイト化合物MPt_4Ge_<12>(M=Sr,Ba)の結晶を育成し,^<73>Ge-NQR測定からラットリングと超伝導の関係を調べた。
3. 新しい充填スクッテルダイト化合物の超高圧合成法により,BaFe_4As_<12>とGdFe_4As_<12>の合成に成功した。電気抵抗,磁化率,磁化過程の測定により,BaFe_4As_<12>は低温まで常磁性状態に留まるが、GdFe_4As_<12>は56Kで強磁性転移することを見出した。
4. ラットリング系R_3Pd_<20>Ge_6と同型構造のMn_3Pd_<20>P_6とMn_3Ni_<20>P_6を合成し、Mnが複雑な磁気構造をとることを磁化測定から推測した。重い電子的振る舞いを示すTm_2Rh_<12>P_7のナイトシフト測定から、ヴァンブレック常磁性であることを明らかにした。NiP_3の単結晶の育成に成功し、正常金属であることを確認した。
5. カゴ状近藤半導体Yb_<1-x>Lu_xB_<12>の70Tまでの強磁場下の磁化、磁気抵抗、ホール効果の測定から、小さい方のギャップが50Tで潰れた後、重い電子状態になることを見出した。高圧合成によってGdB_<12>を作製し、反強磁性転移を確認した。
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