2010 Fiscal Year Annual Research Report
低次元半導体レーザーの低しきい値光学利得と高速光非線形性
| Project Area | Optical science of dynamically correlated electrons in semiconductors |
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20104004
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 准教授 (40251491)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
横山 弘之 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (60344727)
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| Keywords | 半導体物性 / 高性能レーザー / 量子閉じ込め / MBE、エピタキシャル / 量子細線 |
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| Research Abstract |
発光および発光励起スペクトルの精密計測によう半導体中キャリア温度の絶対評価が達成された。吸収と発光のスペクトル間に成立するケナード・ステファノブ関係式(KS関係式)という基礎関係式を用いて、黒体輻射の場合と同様、モデルや物質パラメータを仮定することなくキャリア温度評価を行うことが可能であることを発見し、例証実験に成功した。非ドープ量子井戸においては、励起子状態とイオン化プラズマ状態の間に、キャリア温度は等しいが化学ポテンシャルがずれた非平衡状態が形成されていることが解った。単一め非ドープおよび変調ドープ型量子細線レーザー素子を用いて、光励起によって電子系・正孔系・電子正孔系め利得特性を調べた。KS関係式と類似のKMS関係式を用いてキャリア温度を、また化学ポテンシャルおよび自然放出強度からキャリア濃度を決定することに成功した。これによって、光学利得スペクトルや強度について、電荷中性および非中性の場合を含む任意の濃度に対し同じ温度での、理論計算と実験結果を比較することが出来るようになった。マグネトロンスパッタリングによる誘電体多層膜形成および評価システムを整備し、これを用いて半導体レーザー端面の高反射コーティングを試みた。平板基板上では設計どおりの高反射膜が得られたが、非平板の半導体レーザー端面においては設計どおりの膜厚が得られなかった。この膜厚のずれを織り込んで設計を行うか、より高真空下での電子ビーム蒸着を用いるかの対策が必要であると判断した。
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[Journal Article] LaVO4:Eu Phosphor films with enhanced Eu solubility2011
Author(s)
T.Higuchi, Y.Hotta, Y.Hikita, S.Maruyama, Y.Hayamizu, H.Akiyama, H.Wadati, D.G.Hawthorn, T.Z.Regier, R.I.R.Blyth, G.A.Sawatzky, H.Y.Hwang
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Journal Title
Appl.Phys.Lett.
Volume: 98
Pages: 071902
Peer Reviewed
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[Journal Article] Effects of Mg doping on Optical and Electrical Properties of GaNAs Multiple Quantum Wells2011
Author(s)
Masahiro Shiraga, Yuko Nakai, Tomohiko Hirashima, Akinobu Kittaka, Mari Ebisu, Naoshi Takahashi, Takeshi Noda, Masato Ohmori, Hidefumi Akiyama, Noriaki Tsurumachi, Shunsuke Nakanishi, Hayato Miyagawa, Hiroshi Itoh, Shyun Koshiba
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Journal Title
Phys.Status Solidi C
Volume: 8
Pages: 420-422
Peer Reviewed
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[Presentation] GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価2011
Author(s)
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
Organizer
第58回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
神奈川工科大学(神奈川県)
Year and Date
20110324-20110327
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[Presentation] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010
Author(s)
石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
Organizer
秋季第71回応用物理学学術講演会
Place of Presentation
長崎大学(長崎県)
Year and Date
20100914-20100917
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[Presentation] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010
Author(s)
星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
Organizer
71回応用物理学学術講演会
Place of Presentation
長崎大学(長崎県)
Year and Date
20100914-20100917
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[Presentation] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
Author(s)
高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピン サクンタム, 矢口裕之
Organizer
71回応用物理学学術講演会
Place of Presentation
長崎大学(長崎県)
Year and Date
20100914-20100917
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