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2011 Fiscal Year Annual Research Report

第一原理分子動力学法による構造サンプリングと非平衡ダイナミクス

Planned Research

Project AreaMaterials Design through Computics: Complex Correlation and Non-equilibrium Dynamics
Project/Area Number 22104006
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

常行 真司  東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (90197749)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 吉本 芳英  鳥取大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80332584)
山内 淳  慶應義塾大学, 理工学部, 准教授 (90383984)
大谷 実  産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 研究グループ長 (50334040)
Keywords第一原理計算 / 非平衡ダイナミクス / 熱伝導 / 原子間力モデル / 分子動力学法
Research Abstract

本研究グループでは,次世代半導体デバイスや熱電素子,電池等工ネルギー変換素子への応用を念頭に,第一原理分子動力学法を用いてナノ構造体や新材料の熱科学の解明を目的とする.具体的には,材料およびナノ構造体の熱伝導度,熱膨張率,熱破壊の前駆現象,固液相変化とナノスケールでの相関や揺らぎ,分子固体中や分子/電極界面での電子移動による再配置エネルギーと電子移動度など,原子間相互作用の非調和性が本質的に重要となる大きな原子変位を伴う非平衡物理現象の予測と,ダイナミクスの解明を目指している.本年度は次のような成果を上げた.
(1)平面波基底第一原理計算での交換相互作用計算を加速するため,GPGPUの利用を試み,価格性能比の観点で十分な性能を得ることに成功した.
(2)6次の非調和項まで含めた非調和格子模型を第一原理分子動力学法の結果から導出することに成功し,それを非平衡分子動力学法に用いて幅広い温度領域での熱伝導シミュレーションを安定に実行できることを示した.バルクSiの高温熱伝導度を計算し,実測データの外挿値と定量的に良く一致する結果を得た.
(3)固液界面の電気二重層の第一原理分子動力学計算を行い,電位を評価する新たな手法を導入して,非経験的にHelmholtz層の静電容量を求めることに成功した。その結果,Helmholtz層の新たな微視的描像を得た.
(4)電池系のモデリングに有効な,滑らかに無限大へと変化する誘電率の関数を用いるsmooth ESM法を開発した.(5)擬ポテンシャル法で結晶中の欠陥による内殻XPSを高精度計算する手法を用いて,シリコン中のBを含む欠陥系の境界条件評価を踏まえた理論計算を行い,実際の実験データと比較してその有効性を実証した.
(6)グラフェンとGaN,AlNの界面構造を調べ,引っ張り応力による大きな構造変化を予測した.

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

本計画で目指す熱科学のシミュレーションに役立つ新しい手法として,第一原理に基づく非調和格子模型の導出法を確立し,非平衡分子動力学法への応用を実現してその有用性を実証することができた.また電場印加時の電極溶液界面シミュレーション手法として,Smoth ESM法と,電気二重層の静電容量評価法を考案した.これらは当初計画通り,もしくはそれ以上の進展である.またこのような計算手法の基盤となる平面波基底を用いた第一原理分子動力学法のコード整備も順調に進んでいる.計算機科学研究者との連携に関しては努力を要する.

Strategy for Future Research Activity

当初計画では博士研究員を雇用して研究を加速する予定であったが,計算科学関連プロジェクトが多数あることから,現時点までに適切な候補者を見つけることが出来ていない.優秀な博士課程学生の参加により研究計画自体は順調に進めることができたが,今年度はソフトウェア開発の一部を外注することによって研究の加速を図る一方,H25年度から雇用できる博士研究員候補者を探す予定である.

  • Research Products

    (23 results)

All 2012 2011

All Journal Article (6 results) (of which Peer Reviewed: 6 results) Presentation (17 results)

  • [Journal Article] Structural phase transition of graphene caused by GaN epitaxy2012

    • Author(s)
      Y.Gohda, S.Tsuneyuki
    • Journal Title

      Appl.Phys.Lett.

      Volume: 108 Pages: 1-4(053111)

    • DOI

      10.1063/1.3680100

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] First-principles calculations on spin polarization of vacancies in nitride semiconductors2012

    • Author(s)
      Y.Gohda, A.Oshiyama
    • Journal Title

      AIP Conf.Proc.

      Volume: 1,399 Pages: 83-84

    • DOI

      10.1063/1.3666268

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 磁性元素が関与しない磁性?:界面・点欠陥の役割を予測2012

    • Author(s)
      合田義弘、押山淳、常行真司
    • Journal Title

      日本物理学会誌

      Volume: 66 Pages: 836-840

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Efficient algorithm of the transcorrelated method for periodic systems2012

    • Author(s)
      M.Ochi, K.Sodeyama, R.Sakuma, S.Tsuneyuki
    • Journal Title

      J.Chem.Phys.

      Volume: 136 Pages: 94-108

    • DOI

      10.1063/1.3689440

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] X-ray Photoelectron Spectroscopy for the Boron Impurities in Silicon : a First-principles Study2011

    • Author(s)
      J.Yamauchi, Y.Yoshimoto
    • Journal Title

      AIP Conf.Proc.

      Volume: 1,399 Pages: 89-90

    • DOI

      10.1063/1.3666271

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Identification of boron clusters in silicon crystal by B1s core-level X-ray photoelectron spctroscopy : a first-pincipels study2011

    • Author(s)
      J.Yamauchi, Y.Yoshimoto, Y.Suwa
    • Journal Title

      Appl.Phys.Lett

      Volume: 99 Pages: 1399,89

    • DOI

      10.1063/1.3658030

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Ab initio molecular dynamics study of the electric double-layer capacitance at solution-electrode interfaces2012

    • Author(s)
      安藤康伸, 合田義弘, 常行真司
    • Organizer
      American Physical Society March meeting
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      20120227-20120302
  • [Presentation] 平面波基底第一原理計算プログラムにおけるアクセラレータの活用2012

    • Author(s)
      吉本芳英
    • Organizer
      大阪大学産業科学研究所学内共同研究研究会
    • Place of Presentation
      有馬温泉、神戸市(招待講演)
    • Year and Date
      20120223-20120224
  • [Presentation] 第一原理分子動力学計算による電気二重層キャパシタンスの非経験的評価2012

    • Author(s)
      安藤康伸, 合田義弘, 常行真司
    • Organizer
      物性研究所共同利用スパコン成果報告会
    • Place of Presentation
      東京大学、文京区
    • Year and Date
      20120220-20120222
  • [Presentation] 第一原理非調和格子モデルを用いたナノワイヤの熱伝導率計算2012

    • Author(s)
      只野央将, 合田義弘, 常行真司
    • Organizer
      日本物理学会2011年秋季大会
    • Place of Presentation
      富山大学、富山市
    • Year and Date
      2012-09-24
  • [Presentation] 電圧印加固液界面における電気化学反応-シミュレーションによる現象の理解から物質設計を目指して-2012

    • Author(s)
      大谷実
    • Organizer
      精密工学会超精密加工専門委員会第63回研究会
    • Place of Presentation
      大阪ガーデンパレス、大阪市(招待講演)
    • Year and Date
      2012-01-23
  • [Presentation] 第一原理シミュレーションで観る固液界面の構造および電気化学反応2012

    • Author(s)
      大谷実
    • Organizer
      2012年表面科学技術研究会
    • Place of Presentation
      神戸大学百年記念館六甲ホール(招待講演)
    • Year and Date
      2012-01-18
  • [Presentation] 水-金属界面系の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算2011

    • Author(s)
      安藤康伸, 合田義弘, 常行真司
    • Organizer
      日本物理学会2011年秋季大会
    • Place of Presentation
      富山大学、富山市
    • Year and Date
      20110921-20110924
  • [Presentation] First-principles study of the electric double-layer capacitance of water/Al interfaces2011

    • Author(s)
      安藤康伸, 合田義弘, 常行真司
    • Organizer
      The 13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-13)
    • Place of Presentation
      Praha, Czech Republic
    • Year and Date
      20110703-20110708
  • [Presentation] Non-equilibrium heat transfer simulation with first-principles anharmonic lattice model2011

    • Author(s)
      只野央将, 合田義弘, 常行真司
    • Organizer
      7th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena
    • Place of Presentation
      三重県、志摩市
    • Year and Date
      2011-12-12
  • [Presentation] 窒化物界面における遍歴強磁性の第一原理計算2011

    • Author(s)
      合田義弘、常行真司
    • Organizer
      日本金属学会2011年度秋季大会
    • Place of Presentation
      沖縄コンベンションセンター宜野湾市
    • Year and Date
      2011-11-08
  • [Presentation] ナノ構造体の熱伝導計算に向けて2011

    • Author(s)
      常行真司
    • Organizer
      計算材料科学研究拠点第2回シンポジウム
    • Place of Presentation
      東北大学金属材料研究所仙台市(招待講演)
    • Year and Date
      2011-11-06
  • [Presentation] Structure and electronic properties of nitride interfaces2011

    • Author(s)
      合田義弘、常行真司
    • Organizer
      The 14th Asian Workshop on First-Priniples Electronic Structure Calculation (ASIAN14)
    • Place of Presentation
      東京大学、文京区
    • Year and Date
      2011-11-01
  • [Presentation] First-principles study of the electric double-layer capacitance at water-graphene interfaces2011

    • Author(s)
      安藤康伸, 合田義弘, 常行真司
    • Organizer
      The 14th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations (ASIAN14)
    • Place of Presentation
      東京大学、文京区
    • Year and Date
      2011-11-01
  • [Presentation] Thermal conductivity calculations of semiconductors from first-principles anharmonic lattice model2011

    • Author(s)
      只野央将, 合田義弘, 常行真司
    • Organizer
      The 14th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations (ASIAN14)
    • Place of Presentation
      東京大学、文京区
    • Year and Date
      2011-11-01
  • [Presentation] Magnetism at interfaces consisting of nonmagnetic materials2011

    • Author(s)
      合田義弘、常行真司
    • Organizer
      International Focus Workshop on Quantum Simulations and Design (QSD2011)
    • Place of Presentation
      Dresden, Germany
    • Year and Date
      2011-09-27
  • [Presentation] 熱伝導現象の第一原理計算2011

    • Author(s)
      常行真司
    • Organizer
      日本物理学会2011年秋季大会シンポジウム
    • Place of Presentation
      富山大学、富山市(招待講演)
    • Year and Date
      2011-09-23
  • [Presentation] Possibility of two-dimensional ferromagnetism at nitride-boride interfaces2011

    • Author(s)
      合田義弘、常行真司
    • Organizer
      The 13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-13)
    • Place of Presentation
      Praha, Czech Republic
    • Year and Date
      2011-07-05

URL: 

Published: 2013-06-26  

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