2017 Fiscal Year Annual Research Report
Measurements of Novel Quantum Properties of Atomic Layers
Project Area | Science of Atomic Layer Systems |
Project/Area Number |
25107003
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
長田 俊人 東京大学, 物性研究所, 准教授 (00192526)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山本 倫久 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任准教授 (00376493)
町田 友樹 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (00376633)
八木 隆多 広島大学, 先端物質科学研究科, 准教授 (60251401)
菅原 克明 東北大学, 材料科学高等研究所, 助教 (70547306)
劉 崢 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 主任研究員 (80333904)
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Project Period (FY) |
2013-06-28 – 2018-03-31
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Keywords | ナノ材料 / 物性実験 / メゾスコピック系 / グラフェン / ディラック電子 / 原子層物質 / 2次元物質 / トポロジカル物性 |
Outline of Annual Research Achievements |
(長田)グラフェンのHaldane模型とKane-Mele模型に対応する模型を2次元有機Dirac半金属a-(BEDT-TTF)2I3格子に対して構築し、Chern絶縁体とトポロジカル絶縁体が各々時間反転対称性の破れた弱い電荷秩序と有限のスピン軌道相互作用の下で現れることを示した。(町田)異なる原子層を積層したファンデルワールス接合を作製し、その量子輸送現象および光学特性を調べた。また、原子層探索・層数評価・原子層積層を全自動で行うシステムを立上げた。(山本)2層グラフェンにおいて、スピンとバレーが混成したスピンバレー流に起因する非局所伝導を観測した。量子ホール状態のグラフェンのジョセフソン接合において、クーパー対分離を反映した臨界電流の接合幅の増加に伴う減少を観測した。(八木)グラフェンの抵抗の磁場、垂直電場依存性を測定し低エネルギー電子状態を系統的に調べ、層数と積層構造で決まるバンド構造を反映した構造を示すことを見出した。また2層グラフェンの電子構造の異方性を磁場中弾道軌道運動として検出した。(劉)3層以上の1T-TaS2試料では室温においても整合構造のCDW相に対応する超格子が存在すること、2層以下では超格子が整合から非整合へと変化することを走査透過型電子顕微鏡観察で明らかにした。またTMDC単層試料中に存在する粒界構造を観察した。(菅原)3層グラフェンの積層構造や原子層物質TaSe2の結晶構造が成長条件により制御可能であること、それに依存して電子状態が大きく変化することを角度分解光電子分光によって明らかにした。(遠藤:連携研究者)SiC基板上カーボンナノチューブ密配列膜の交流伝導が主にナノチューブ間の静電結合に由来することを、周波数・磁場依存性の測定より明らかにした。Si上エピタクシャルグラフェンのホールバーへの加工、観察技術を開発した。
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Research Progress Status |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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Strategy for Future Research Activity |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(58 results)
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[Journal Article] Investigation of Supercurrent in the Quantum Hall Regime in Graphene Josephson Junctions2018
Author(s)
Anne W. Draelos, Ming Tso Wei, Andrew Seredinski, Chung Ting Ke, Yash Mehta, Russell Chamberlain, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Michihisa Yamamoto, Seigo Tarucha, Ivan V. Borzenets, Francois Amet, Gleb Finkelstein
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Journal Title
J. Low Temp. Phys.
Volume: 印刷中
Pages: 印刷中
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research
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