1989 Fiscal Year Annual Research Report
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01306014
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
伊藤 良一 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40133102)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
尾鍋 研太郎 東京大学, 工学部, 助教授 (50204227)
高柳 邦夫 東京工業大学, 理学部, 教授 (80016162)
中島 尚男 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20198071)
竹田 美和 京都大学, 工学部, 講師 (20111932)
吉野 淳二 東京工業大学, 工学部, 助教授 (90158486)
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| Keywords | 半導体 / 超構造 / 原子尺度 |
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| Research Abstract |
本研究は、原子尺度で制御された半導体ー半導体超構造ーについて、個々に進められている研究を総合的かつ効果的に進めるために、研究の内容、進め方について討議すること、および重点領域研究の研究領域として研究を推進するための組織作りを行なうことを目的とした。
四つの重要研究項目(原子尺度の半導体超構造の基礎、原子尺度の半導体超構造の作製、原子尺度での評価、原子尺度の半導体超構造の物性とその応用)を設定し、各分担者が各自の準備研究を推進するとともに、各種学会、国際会議等に出席して内外の研究動向の調査を行なった。
主要研究課題、具体的な研究手法、研究を推進するための組織などにつき討議するため、数回にわたる小規模の会合を重ねた。これらの検討会では、各分担課題について質疑応答を行ない、さらに、本研究を重点領域研究の研究領域として申請する(申請領域名:半導体超構造の原子尺度での制御)ことが合意され、その内容の詳細な検討を行った。
以上の結果、重点領域研究で取り組むべき研究課題が明確になり、重要研究課題を効果的に推進するための組織作りが行なわれ、本研究の所期の目的が達成された。
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[Publications] 伊藤良一(G.P.Li): "Fabrication of GaAs ultrafine diffraction gratings by SiCl_4 reactive ion etching" Applied Physics Letters.
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[Publications] 安藤恒也: "Numerical Study of Symmetry Effects on Localization in Two Dimensions" Physical Review. B40. 5325-5339 (1989)
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[Publications] 津田穣: "Atomic Layer Epitaxial Growth Mechanism of a Gallium Layer on the (100)As Surface of GaAs Crystals in MOVPE" Journal of Crystal Growth.
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[Publications] 高柳邦夫: "High Resolution Electron Microscopy of Surfaces and Heteroepitaxy" Proc.Material Research Society Symposium. 139. 59-66 (1989)
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[Publications] 吉野淳二(T.Yasuda): "The Dependence of Light Intensity on Surface Morphology and Impurity Incorporation for ZnSe Growh by Photo Assisted MOVPE" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L1628-L1630 (1989)
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[Publications] 中島尚男(Y.Elkhalifi): "Dependence of the light-hole-heavy-hole splitting on layer thickness and substrate orientation in GaAs-GaAlAs single quantum wells" Physical Review. B39. 13533-13536 (1989)
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[Publications] 伊藤良一: "半導体レ-ザ[基礎と応用]" 培風館, 326 (1989)
