1989 Fiscal Year Annual Research Report
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01306033
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
高橋 清 東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
英 貢 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (90124734)
小長井 誠 東京工業大学, 工学部, 助教授 (40111653)
村田 好正 東京大学, 物性研究所, 教授 (10080467)
松波 弘之 京都大学, 工学部, 教授 (50026035)
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| Keywords | 光励起プロセス / 反応過程の制御 / 表面反応の研究 / 膜形成の基礎 / 反応の計測・診断 |
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| Research Abstract |
半導体集積回路技術の微細化及びデバイス性能の飛躍的向上にともない、従来用いられてきた熱プロセスの限界が認識され、現在、光励起プロセスが注目されている。
本研究は、平成2年度から発足する重点領域研究「半導体における光励起プロセスの基礎」を行なうため、
(1)各研究分担者の専門ならびに周辺領域研究の調査研究を行なうための全体会議
(2)課題の調整ならびに研究の進め方を審議するための幹事会
を開催し、重点領域研究発足のための準備研究を行なうことを目的に設けられた。
この趣旨にもとづき本研究では、全体会議を2回・幹事会を1回開き、全体の総括として平成2年2月13日成果報告会を開催した。この場では、「反応過程の制御」「表面反応の研究」「膜形成の基礎」「反応の計測・診断」の各研究班から各自、平成元年度に得られた調査結果及び成果を発表・討論し合い、全体を「半導体における光励起プロセスの基礎」成果報告集としてまとめた。この結果、各研究分担者間の共通の問題意識が鮮明となり、次年度以降行なわれる重点領域研究の進め方について充分な討論を行なうことができた。
以上より、平成2年度から重点領域を発足・推進していくための準備は充分に整えられたと考えられる。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] Hiroyuki Matsunami: "a-Si:H Films by Direct Photo-CVD and Doping Characteristics" Proc.4th Inter.PVSEC,Sydney,Australia. 289-293 (1989)
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[Publications] Kazuhiko Mase: "Photostimulated desorption of NO chemisorbed on Pt(100)at 193nm" J.Chem.Phys.91. 590-597 (1989)
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[Publications] Akira Yamada: "Heavily P-Doped(>10^<21>cm^<-3>)Silicon Films Grown by Photo-chemical Vapor Deposition at a Very Low Temperature of 250℃" Jpn.J.Appl.Phys.28. 2284-2287 (1989)
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[Publications] Yoshiyuki Kazama: "High Efficiency Amorphous Silicon Solar Cells with“Delta-Doped"P-Layer"" Jpn.J.Appl.Phys.28. 1160-1164 (1989)
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[Publications] M.Hanabusa: "Deposition of aluminum thin films by photochemical surface reaction" J.Appl.Phys.66. 3268-3274 (1989)
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[Publications] J.Watanabe: "Photochemical vapor deposition of silicon oxynitride films by deuterium lamp" J.Mater.Res.4. 882-885 (1989)
