1991 Fiscal Year Annual Research Report
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01420042
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
仲田 周次 大阪大学, 工学部, 教授 (90029075)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
安田 清和 大阪大学, 工学部, 助手 (00210253)
藤本 公三 大阪大学, 工学部, 助手 (70135664)
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| Keywords | 界面プロセス / 走査形トンネル顕微鏡 / 薄膜形成 / ダイヤモンド薄膜 / 電子照射形CVD法 / STS分析 / めっきプロセス / マイクロ接合 |
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| Research Abstract |
微細複合機能構造体の製作プロセスに重要な多層薄膜の形成プロセスおよび薄膜の評価方法、接合構造体作成への薄・厚膜の応用および新機能材料創製のための指針を確立することを目的として研究を行い、平成3年度に以下の結果を得ている。
1.CH_4+H_2を原料とする電子照射形CVD法によるダイヤモンド薄膜成長過程において、基板上でのダイヤモンドの初期成長過程での基板・薄膜界面での状態遷移状態の解析に走査型トンネル顕微鏡(STM)を利用しうるかどうかを検討するために、Pt薄膜を蒸着したシリコン基板上にダイヤモンド膜を形成させ、その形成状況をSTS分析し、基板表面およびダイヤモンド表面での状態の遷移・変化状態が大きく異なり、かつ時間的に金属状態からダイヤモンド状態へ中間状態を経て段階的に変化することを見いだしている。
2.材料システム化において重要な薄・厚膜のマイクロ接合への応用について検討を行い、まずめっきプロセスによるSn,Inめっき膜の形成を検討し、表面の平坦性、結晶粒度などの観点から、Sn、In膜形成の最適条件を明らかにすると共に、その100μ程度のマイクロ接合への応用を検討し、接合過程での接合界面での膜金属元素の挙動を明かにすると共に、良好な初期・長期での接合品質をえるための条件を確立し、最適な膜厚構成を示している。
さらに、この多層膜により100μmピッチのTABパッケ-ジなどマイクロ接合への応用が可能であるを示している。
3.基板材料上での薄膜形成過程およびそのマイクロ接合への応用など材料システム化での界面形成プロセスの基礎を集積し、マイクロ材料システム化工学の基礎を示している。
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[Publications] 仲田 周次: "マイクロパラレルギャップ接合法における接合部の発熱分布と接合パラメ-タの意義ー微細電子材料の接合現象とプロセス制御に関する研究(第1報)ー" 溶接学会論文集. 10. 144-149 (1992)
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[Publications] 仲田 周次: "マイクロパラレルギャップ接合法における接合界面温度上昇挙動と接合現象ー微細電子材料の接合現象とプロセス制御に関する研究(第2報)ー" 溶接学会論文集. 10. 150-154 (1992)
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[Publications] Kiyokazu Yasuda: "Characterization of Thin Film/Substrate Interface made by Inoized Cluster Beam Depoトition" Proc.5th International Symposium of Japan Welding Society. 351 (1990)
