1990 Fiscal Year Annual Research Report

有機金属気相成長法によるワイドキャップ化合物半導体の原子層エピタキシ-の研究

Research Project

Project/Area Number	01460071
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	尾鍋研太郎東京大学, 工学部, 助教授 (50204227)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	近藤高志東京大学, 工学部, 助手 (60205557) 深津晋東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 (60199164) 白木靖寛東京大学, 先端科学技術研究センター, 助教授 (00206286) 伊藤良一東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40133102)
Keywords	有機金属気相成長法 / ワイドギャップ化合物半導体 / 原子層エピタキシ- / 窒化ガリウム / 青色発光半導体レ-ザ / 結晶構造変換 / 可視光発光材料
Research Abstract	本年度においては、ガリウム砒素燐/ガリカム砒素および窒化ガリウムなどのワイドギャップ化合物半導体の結晶成長と評価、および結晶構造変換ヘテロエピタキシ-に関する理論検討を進めた。 1.ガリウム砒素燐/ガリウム砒素ヘテロ構造による歪み量子井戸を作製し、高品質結晶成長条件を確立するとともに、フォトルミネッセンスおよび赤外反射分光による評価・解析により、ヘテロ界面バンドオフセット値の決定など、歪み量子井戸におけるバンド構造の詳細を明らかにした。 2.ガリウム砒素上への窒化ガリウムの結晶成長を行い、(100)面上の成長において立方晶窒化ガリカムの成長を確認した。また立方晶窒化ガリウムの結晶性状と成長条件との関係を明らかにした。これらにより、「結晶構造変換ヘテロエピタキシ-」を基本的に実証した。 3.サファイア基板上への窒化ガリウムの結晶成長を進め、とくにR面上の結晶成長における配向性など構造的特性と成長条件との関係を明らかにした。また光学的評価により、屈折率の異方性、2次非線形光学定数などを明らかにした。 4.構造的不整合を有する物質どうしのヘテロ界面の安定性について、電子論的考察を進めた。今後は窒化物系化合物半導体および格子構造不整合系の有機金属相結晶成長における基本的特性をさらに明らかにするとともに、可視光領域の発光特性・非線形光学的特性の評価およびフォトニックデバイスへの応用への検討を進める計画である。

Research Products

(7 results)

All Other

All Publications (7 results)

[Publications] Y.Miura,K.Onabe,X.Zhang,Y.Nitta,S.Fukatsu,Y.Shiraki and R.Ito: "Compositional Latching in GaAS_<1ーx>P_x/GaAs MOVPE" Japanese Journal of Applied Physics. (1991)
[Publications] K.Fujita,S.Fukatsu,H.Yaguchi,T.Igarashi,Y.Shiraki and R.Ito: "Realization of Abrupt Interfaces in Si/Ge Superlattices by Suppressing Ge Surface Segregation with Submonolayer of Sb" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L1213-L1216 (1990)
[Publications] K.Onabe,Y.Miura,X.Zhang Y.Nitta,S.Fukatsu,Y.Shiraki and R.Ito: "Compositional Latching in GaAs_<1ーx>P_x/GaAs MOVPE" Compositional Latching in GaAs_<1ーx>P_x/GaAs MOVPE 22nd Conf.on Solid State Devices and Materials. 489-492 (1990)
[Publications] B.Zhang,S.Fukatsu,Y.Shiraki and R.Ito: "Reflectance Characterization of QWs and SLSs by FTIR" Japanese Journal of Applied Physics. (1991)
[Publications] K.Onabe: "Compound Semiconductors for Optoelectronics and Their Epitaxial Growth Techniques" 9th Int.Course on Physics of Materials. (1991)
[Publications] 尾鍋研太郎他(分担執筆): "薄膜作製ハンドブック" 共立出版, 300 (1991)
[Publications] 尾鍋研太郎他(分担執筆): "先端電子材料事典" シ-エムシ-, 1200 (1991)

1990 Fiscal Year Annual Research Report

有機金属気相成長法によるワイドキャップ化合物半導体の原子層エピタキシ-の研究

Principal Investigator

尾鍋 研太郎 東京大学, 工学部, 助教授 (50204227)

Research Products

[Publications] Y.Miura,K.Onabe,X.Zhang,Y.Nitta,S.Fukatsu,Y.Shiraki and R.Ito: "Compositional Latching in GaAS_<1ーx>P_x/GaAs MOVPE" Japanese Journal of Applied Physics. (1991)

[Publications] K.Fujita,S.Fukatsu,H.Yaguchi,T.Igarashi,Y.Shiraki and R.Ito: "Realization of Abrupt Interfaces in Si/Ge Superlattices by Suppressing Ge Surface Segregation with Submonolayer of Sb" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L1213-L1216 (1990)

[Publications] K.Onabe,Y.Miura,X.Zhang Y.Nitta,S.Fukatsu,Y.Shiraki and R.Ito: "Compositional Latching in GaAs_<1ーx>P_x/GaAs MOVPE" Compositional Latching in GaAs_<1ーx>P_x/GaAs MOVPE 22nd Conf.on Solid State Devices and Materials. 489-492 (1990)

[Publications] B.Zhang,S.Fukatsu,Y.Shiraki and R.Ito: "Reflectance Characterization of QWs and SLSs by FTIR" Japanese Journal of Applied Physics. (1991)

[Publications] K.Onabe: "Compound Semiconductors for Optoelectronics and Their Epitaxial Growth Techniques" 9th Int.Course on Physics of Materials. (1991)

[Publications] 尾鍋 研太郎 他(分担執筆): "薄膜作製ハンドブック" 共立出版, 300 (1991)

[Publications] 尾鍋 研太郎 他(分担執筆): "先端電子材料事典" シ-エムシ-, 1200 (1991)

尾鍋研太郎東京大学, 工学部, 助教授 (50204227)

[Publications] 尾鍋研太郎他(分担執筆): "薄膜作製ハンドブック" 共立出版, 300 (1991)

[Publications] 尾鍋研太郎他(分担執筆): "先端電子材料事典" シ-エムシ-, 1200 (1991)