1989 Fiscal Year Annual Research Report
in-situ光堆積法によるInP MIS電界効果トランジスタ用ゲ-ト絶縁膜の研究
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01460135
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
菅野 卓雄 東京大学, 工学部, 教授 (50010707)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
新井 夫差子 東京大学, 工学部, 助手 (10010927)
浅田 邦博 東京大学, 工学部, 助教授 (70142239)
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Keywords | 光励起 / 絶縁物の堆積 / 窒化燐 / インジウム燐 / 化合物半導体 / 薄膜 / MIS電界効果トランジスタ / MISダイオ-ド |
Research Abstract |
1.in-situ 光励起絶縁物堆積装置の組立て 光励起絶縁物堆積チェンバ、電子分光分析チェンバ、およびそれらを結合するトランスファチェンバより成る標記装置の組立てを行った。光励起絶縁物堆積チェンバはタ-ボモレキュラ・ポンプおよびロ-タリ・ポンプで排気される超高真空チェンバとそれに光励起用の低圧水銀ランプ、ガス導入管加熱部を含む原料ガス流量制御系が附加され、超高真空チェンバ内には試料表面近傍における反応ガス圧を高くするための反応ガス閉じ込め用容器が設置されている。窒化燐堆積用原料としては、PCl_3とNH_3を使用し、PCl_3は水素または窒素ガスをキャリア・ガスとしてニ-ドル・バルブでガス流量を調整して、PCl_3ガスの供給量を制御した。なお分析チンェンバ内ではマニピュレ-タにより試料位置の微細な制御が可能になったので、オ-ジェ電子分光、X線光電子分光がin-situで可能になった。 2.InP 基板上の絶縁膜の特性評価 有機超音波洗浄および塩酸系エッチング液によるエッチングをしたInP表面を更に堆積チェンバ内でHCl、PCl_3、NH_3による気相エッチングをしたものと(NH_4)_2Sxによる表面安定化したものについてInP表面のオ-ジェ電子分光分析を行い(NH4)_2Sxにより気相エッチングと同程度の清浄表面が得られることを確認した。次にPCl_3とNH_3をキャリア・ガスを水素又は窒素として窒化燐の堆積を行った所、共に炭素や酸素の含有がオ-ジェ電子分光分析、X線光電子分光分析では検出できない程度の窒化燐膜が形成できることが判明し、さらにNH_4Clの生成を極力抑制するためにはキャリア・ガスを窒素とすべきことが結論された。 この窒化燐を用いてMIS電界効果トランジスタを作成した所、室温で4200cm^2/vsの移動度を得ることができた。
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Research Products
(2 results)
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[Publications] 菅野卓雄: "Indium Phosphide MIS FETs Technology" Proceedings of the Fifth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices. 121-127 (1989)
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[Publications] 岩瀬義倫(岡崎均,L.T.T シュエン,金鐘鎬,新井夫差子,菅野卓雄): "光CVD法を用いた窒化燐のInP基板上への成長" 応用物理学会 講演予稿集. (1990)