1990 Fiscal Year Annual Research Report
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01550556
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| Research Institution | Osaka Prefecture University |
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Principal Investigator |
森井 賢二 大阪府立大学, 工学部, 助教授 (10101198)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
津田 大 大阪府立大学, 工学部, 助手 (80217322)
関渕 博 大阪府立大学, 工学部, 講師 (70109883)
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| Keywords | 相変化型記録薄膜 / イオンビ-ムスパッタ / 非晶質の結晶化 / SーSbーGe系 / 光学特性 |
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| Research Abstract |
カルコゲン系化合物薄膜の中には非晶質一結晶間の相変化が1μs以下の極めて短時間で完了するものが存在し、有望な相変化型光記録材料として注目されている。本研究ではこの種の化合物薄膜をとりあげ、新しい高速相変化膜の探索、合成およびその相変化機構を検討することを目的としている。初年度にはいくつかのカルコゲン系合金についてイオンビ-ムスパッタ法による成膜技術を確立した。本年度では新しい合金系の選定とそれに関する非晶質一部結間の相変化挙動を明らかにし相変化型光記録材料とての可能性を検討することを目標とした。
1.合金系の選定
いくつかのカルコゲン(S,Se,Te)系化合物に関して、安全性、環境に対する影響などを考慮し、S系化合物における薄膜を検討することとした。これに非晶質形成能大きいSbを加え、SーSb系を主合系しと、さらにこの系に対する第3元素の効果を知るためにGe添加を検討した。
2.SーSbーGe系非晶質薄膜の結晶化と光学特性
Sb|-^<2-|>S|-^<3-|>粉末を圧粉成形したタ-ゲット上にSb,Ge小片をのせイオンビ-ムスパッタ法により室温基板上にS(20ー75at%)ーSb(80ー20at%)ーGe(1ー10at%)薄膜を作製した。得られた膜は非晶質であったが、573K程度までの昇び温過程にあいて結晶化し、Sb_2S_3,Sbなどが形成された。示差熱分析および電気低抗測定の結果、結晶化温度は500ー550Kで、見かけの活性化エネルギは3.2ー3.5eVであり、また非晶質、結晶相ともに半導体的な電気的特性を示した。透過電顕の加熱ステ-ジでの観察の結果、薄膜組成により結晶化速度が異なり、膜のSb,Ge量が増加する傾向があることがわかった。さらに、結晶化にともなう薄膜のレ-ザ-光(λ=830nm)に対する透過率も組成に依存し、高Sb,Ge量の膜ほど大きい変化率(50%)を示した。これらより、S系カルコゲン化合物においても相変化型記録薄膜としての可能性が見いだされたと言える。
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Research Products
(1 results)
