1989 Fiscal Year Annual Research Report
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01604017
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
河合 七雄 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (60127214)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
北沢 宏一 東京大学, 工学部, 教授 (90011189)
石田 洋一 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (60013108)
服部 信 広島大学, 工学部, 教授 (30034416)
作花 済夫 京都大学, 化学研究所, 教授 (10027021)
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| Keywords | レーザーCVD / ゾルーゲル法 / セラミックー金属接合界面 / 層状ケイ酸塩 / インターカレーション / 酸化物超伝導体 |
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| Research Abstract |
1.GaN薄膜の作製について、反応時間と膜の形態・結晶構造の変化を調べた。その結果、反応初期には安定相である六方晶系の板状結晶が生成するが、20分以上の時間が経過すると等軸晶系の結晶に変化し、形態も不規則な形状に変わることが判明した。反応種の過飽和度と関連付けて検討した。
2.多孔質酵素あるいは機能性有機分子の担体となるシリカゲルロッドをゾルーゲル法によって作製し、加熱による細孔特性の変化を明らかにした。
3.モンモリロナイト層間で〔Zr_4(OH)_<14>〕^<2+>とリン酸エステルの反応でケイ酸塩/リン酸ジルコニウム複合層形成に成功した。また、塩基性酢酸銅のアニオン交換性を見いだし、交換挙動や層間での配列状態の知見を得た。さらに層状化合物ZrNX(X=Br,I)を合成し、X=CIの場合も含めて導電機構やバンド構造を考察した。
4.金属ー無機接合の例としてアルミナ・ニオブ固相接合と窒化ケイ素・ニッケル固相接合を取り上げ、高分解能電子顕微鏡による断面観察により接合界面に生ずる熱応力緩和の原子的機構を見出した。
5.自作したSTM装置を用い、層状酸化物BiーSrーCaーCuーOの層断面方向の観察を行った結果、層状の原子配列が初めて観察された。さらに、原子位置を指定した分光測定により、CuーO面による2次元的な伝動機構が明らかにされた。
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[Publications] A.Kobayashi: "Laser induced chemical vapor deposition of GaN" Proc.Mater.Res.Soc.,Fall Meeting. B2.9 (1989)
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[Publications] I.Hasegawa: "Silicate anions formed in tetramethylammonium silicate methanolic solutions as studied by ^<29> Si nuclear magnetic resonance" J.Chem.Soc.,Chem.Commun.(1989)
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[Publications] S.Yamanaka: "Anionーexchange in basic copper acetate" Chem.Lett.1869 (1989)
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[Publications] M.Ohashi: "Preparation and electrical conductivity of layer structured crystals ZrNX(X=Br,I)" J.Ceram.Soc.Jpn.Intern.Ed.97. 1175 (1989)
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[Publications] Y.Ishida: "Transmission electron microscopy of ceramic/metal diffusionーbonded interfaces" MRS Intern. Meeting Adv.Mater.8. 145-158 (1989)
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[Publications] T.Hasegawa: "Atomically resolved STM/STS on the edge of CuO_2 and(Bio)_2layers of BiーSrーCaーCuーO" Jpn.J.Appl.Phys.29.
