金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)

1989 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 01650004
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 中島 尚男 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20198071) ; 安田 幸夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951) ; 大泊 巌 早稲田大学, 理工学部, 教授 (30063720) ; 菊田 惺志 東京大学, 工学部, 教授 (00010934) ; 寺倉 清之 東京大学, 物性研究所, 教授 (40028212)
• Keywords: 金属ー半導体界面 / 界面反応 / ショットキー障壁

Research Abstract

重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」の目的は、21世紀に向けての超LSIを中心とした、半導体マイクロエレクトロニクス発展の鍵を握る「金属ー半導体界面」を原子尺度で解明することによって、界面の制御と自在な設計が可能となる技術を開発し、基礎学問および産業両面に貢献することである。このため、次の4つの主要研究課題すなわち、1.金属ー半導体積層界面の基礎、2.精密積層界面の作製とその精密制御、3.積層界面の評価と界面反応過程の解明、および4.界面反応の物理・化学を取り上げている。本総括班は、これら4つの研究課題について組織された4研究班の上位機構であり、研究推進の目的と戦略作りに沿った研究会、調査会、討論会や企画打ち合わせ会を開催した。さらに、各班で行なわれている研究開発項目を把握・評価し、重点領域研究に関する研究・開発の遂行についての助言.激励を与えるため、1・産業界における主要な研究者・技術者と、関連技術の現状とその本質的問題点について討論し、超LSIの現状や超々LSIを中心とした、マイクロエレクトロニクスの発展に横たわる問題点を認識し、これを各班に伝達し、2.新しい学問的・技術的発展に対して、貢献しうる分野を結集することを目指し、様々な学問分野の研究者と議論を行った。また、文献調査および国際会議・国内会議における調査も併せて行ない、各班に伝達した。今後は基礎から応用まで、理論から実験までの幅広い学問分野の結集を更に有機的に行ない、本重点領域研究の推進に役立てる予定である。

Research Products

• [Publications] T.Ito: "Silicidation of Porous Silicon and its Application for the Fabrication of a Buried Metal Layer" Appl.SUrf.Sci.41/42. 301-305 (1989)
• [Publications] A.Yamama: "Silicidation of Patterned Narrow Area of Anodized Porous Silicon" Vacuum. (1990)
• [Publications] Fumito Kimura: "Adhesion of Optical Coatings on Quaratz Substrate" Thin Solid Films. 181. 435-441 (1989)
• [Publications] Shigeru Baba: "Island Structure of Sputter Deposited Silver Films" Vacunm. (1990)
• [Publications] H,Ishida: "Coverage Dependence of the Electronic Structure of Potassium Adatoms on the Si(001)ー(2xl)Surface" Phys.Rev.B.40. 11519-11535 (1989)
• [Publications] H.Fujisawa: "Hydrostatic Pressure Study on the Defect States in the Al/GaAs Interfaces" Jpn.J.Appl.Phys.(1990)
• [Publications] T.Ueno: "A Mechanism of Dislocation Formation during Vertical Solid Phase Epitaxy" J.Cryst.Growth. (1990)
• [Publications] Y.Koide: "Initial Stage of Growth of Ge on(100)Si y Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using GeH_4" Jpn.J.Appl.Phys.28. 690-693 (1989)