1989 Fiscal Year Annual Research Report

構造が規制された側鎖型ブロック共重合体液晶の合成と記憶材料への研究開発

Research Project

Project/Area Number	01850201
Research Category	Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
Research Institution	Nagaoka University of Technology
Principal Investigator	藤本輝雄長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (30023112)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	瀬和則福井大学, 工学部, 助教授 (00154633) 宮木義行東ソ株式会社, 科学計測事業部, 主任研究員肥後裕仁東ソ株式会社, 生物工学研究所, 室長佐々木博朗東ソ株式会社, 生物工学研究所, 所長五十野善信長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (30135321)
Keywords	側鎖型ブロック共重合体液晶 / 4ービニルーNーイソプロペニルーNートリメチルシリルベンジルアミン / ポリ(4ービニルーNーイソプロペニルーNートリメチルシリルベンジルアミンーbースチレン) / 高性能記憶材料 / ポリ(アミノスチレンーbースチレンーgーBoiーGLy) / ポリ(アミノスチレンーbースチレンーgーZーGLyーPro) / エチレンオキシドによるスペ-サ化
Research Abstract	低分子液晶のように電場や光に対する応答が速く、しかも記憶の凍結が容易であろうと考えられる側鎖型ブロック共重合体液晶、即ち、ポリ(4ービニルーNーイソプロピルーNートリメチルシリルベンジルアミン)(PBA)とポリスチレン(PSt)とのブロック共重合体をアニオン重合で合成し、PBA成分のアミノ基を二級化したアミノ基に低分子液晶分子をグラフトさせた重合物が高性能な記憶材料になり得ることを明らかにしようとした。そこで、4ービニルーNーイソプロビルベンジルアミンとドリメチルシリルクロライドのグリニア-試薬との反応によって、4ービニルーNーイソプロピルーNートリメチルシリルクロライド(BA)を合成し、高真空下ブレクシ-ル法を用いて、nーBuLiを開始剤としてTHF中、-78℃の条件下でBAをアニオン重合すると、重合が理想的に進行するし、また同様な条件下でスチレン(St)とをブロック共重合すると、分子設計通りに分子量分布の狭い重合物が得られることを明らかにした。次に、側鎖型ブロック共重合体液晶の合成方法の検討と、液晶膜の作製と評価の試料調製のために、本学に設置されている大型重合装置を用いて、PStとPBAの組成の等しいブロック共重合体を約1kg合成し、まずPBA成分のトリメチルシリル基を脱離して2級アミノ化したブロック共重合体と、フリ-なカルボキシル基を持つオリゴペプチッド、BocーGLy,ZーGLyーProとのモデル反応、および2級アミンの活性水素をnーBuLiで金属化し、エチレンオキシドを添加してスペ-サにすることが可能な否かかの検討を行った。その結果、2級アミノ基に対して3倍当量以上のオリゴペプチッドやエチレンオキシドを加えても、0.5当量しか反応しないという結果を得た。以上の実験結果を第38回高分子討論会(平成元年10月2^日〜4^日)で発表した〔高分子学会予稿集38,1669(1989)〕。