2002 Fiscal Year Annual Research Report
低誘電体多層配線膜を用いたULSIシステムの計算機支援プロセスデザイン技術の開発
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01F00213
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Research Institution | Keio University |
Principal Investigator |
真壁 利明 慶應義塾大学, 理工学部, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SHON Chae?Hwa 慶應義塾大学, 理工学部, 外国人特別研究員
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Keywords | プラズマプロセスデザイン / プラズマエッチング / VicAddress(計算機支援デザインツール) / 有機low-kエッチング / H_2 / N_2ブラズマ / 多層配線構造 / 2f-CCPソース / プラズマダメージ |
Research Abstract |
受け入れ研究者(真壁)は低温非平衡プラズマによるドライエッチング、特に、酸化膜の加工に現れるプラズマダメージを予測し、これを回避するツールの開発を進めている(VicAddress : Vertically integrated computer aided design for device processing)。Si-LISの技術世代が数10nmに入り、多層配線構造と配線層low-k材の採用時代を向かえようとしている。有機low-k材のエッチングにはH_2/N_2ガスを原料とした2周波容量結合型プラズマ(2f-CCP)ソースがもっとも有望なエッチャーであろう。そこで、 1)H14年度は、昨年度に評価作成したH_2とN_2の衝突断面積と輸送パラメータ、ならびに、重粒子反応レートをデータベースにして、VicAddressを発展させ、H_2/N_2を原料とした2f-CCPの時空問構造の基礎特性を比較的高い圧力域(1Torr-100mTorr)で明らかにした。 2)H_2とN_2を50%ずつ混合した実用原料ガスのCCPでは重粒子衝突が重要な働きをし、反応性イオンエッチングで鍵となる高エネルギーイオン種が特異な特性を示す結果をえている。 3)H_2,N_2の反応素過程のうち重粒子衝突反応にデーターが欠落していること、さらに、表面反応で鍵となると考えられるNHj粒子の生成損失過程が未だ不確定である等の課題が残っている。 4)H14年度の成果は、GEC(USA)、Plasma Process Symposium(長岡)等で講演した。その反響は大きかった。
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Research Products
(2 results)
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[Publications] C.H.Shon, T.Makabe: "Pulsed two-frequency capacitively coupled plasma simulation with H_2/N_2 mixtures for the etching of low-k materials"Bulletin of the American Physical Society. 47.7. 31 (2002)
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[Publications] C.H.Shon, T.Makabe: "Numerical Modeling of a capacitively coupled plasma for low-k material etching-comparison of Plasma structure between H_2 and N_2"Proc.of the 20th symp.on Plasma Processing. 119-120 (2003)