1990 Fiscal Year Annual Research Report

基板界面による強誘電性液晶の層構造及び物性制御と新界面評価システムの試作

Research Project

Project/Area Number	02205045
Research Institution	Tokyo Institute of Technology
Principal Investigator	福田敦夫東京工業大学, 工学部, 教授 (10013484)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	梶川浩太郎東京工業大学, 工学部, 教務職員 (10214305) 竹添秀男東京工業大学, 工学部, 助教授 (10108194)
Keywords	強誘電性液晶 / 反強誘電性液晶 / スメクティック相 / 層構造 / X線解析
Research Abstract	従来から行っていた基板のラビングあるいはSiOの斜方蒸着基板を用いた配向に関しては1989年当時から新しい展開は見られていない。しかし、基板の配向規制力のみに頼るのではなく、材料自身の改良により、「く」の字にならない層構造を実現したり、全く新しい方式の表示素子を考えると言う意味では大きな進展がみられた。1つはナフタレン系の材料との混合物を用いること、もう1つは反強誘電状態の利用である。ナフタレン系の材料と市販の材料の混合物を用いると、通常のラビング界面であるのにもかかわらず、しかも個々の材料では「く」の字層構造を形成するのに、ある混合比の材料においては室温付近で自発的に「く」の字にならないまっすぐの「本棚」形層構造が形成されることが分かった。現象としてはスメクティックA相からスメクティックC*相に温度を下げたとき、光学的には分子の傾きが起こり、層間隔は縮むはずであるが、X線回折によればむしろ層間隔は広がっているという実験事実として観測できる。この原因は今の所不明であるが、層構造が「本棚」形になることによって欠陥のない均一な配向セルを得ることができ、よい光学特性が得られた。 1988年に我々が発見した3安定状態間スイッチングが電場誘起反強誘電ー強誘電相転移によるものであることを1989年に明らかにした。このことに関し、基礎、応用の両面から研究を進めた。主な成果は(1)電場誘起相転移に基づく分子配向のスイッチングには層のスイッチングが伴って起こり、機械的ショックなどによって乱れた配向変化を修復する効果がある。すなわち、このスイッチング素子は自己修復性を有する。(2)スイッチングの応答特性はしきい値電圧を基準とした差電圧により特徴付けられる。(3)強誘電相と反強誘電相の中間相はフェリ誘電相である。

Research Products
(7 results)

All Other

All Publications (7 results)

[Publications] Y.Takanishi et al.: "“Sontaneous Formation of QuasiーBookshelf Layer Structure in New Ferroelectric Liquid Crystals Derived from a Naphthalene Ring"" Jpn.J.Appl.Phys.29. L984-L986 (1990)
[Publications] M.Johno et al.: "“Correspondence between Smectic Layer Switching and DC Hysteresis of Apparent Tilt Angle in a Antiferroelectric Liquid Crystal Mixture"" Jpn.J.Appl.Phys.29. L111-L114 (1990)
[Publications] M.Johno et al.: "“Temporal and Spatial Behavior of the FieldーInduced Transition between Antiferroelectric and ferroelectric Phases in Chiral Smectics"" Jpn.J.Appl.Phys.29. L107-L110 (1990)
[Publications] J.Lee et al.: "“Frequency Dependent Switching Behavior under Triangular Wave in Antiferroelectric and Ferrielectric Chiral Smectic Phases"" Jpn.J.Appl.Phys.29. 1122-1127 (1990)
[Publications] H.Takezoe et al.: "“Antiferroelectric Phase and Tristable Switching in MHPOBC"" Ferroelectrics. 113. 187-197 (1990)
[Publications] 伊藤恵造 et al.: "“反強誘電性安定化(AFS)強誘電性液晶(FLC)における3安定状態間スイッチング"" テレビジョン学会誌. 44. 536-543 (1990)
[Publications] 福田敦夫、竹添秀男: "“強誘電性液晶の構造と物性"" コロナ社, 437 (1990)

1990 Fiscal Year Annual Research Report

基板界面による強誘電性液晶の層構造及び物性制御と新界面評価システムの試作

Principal Investigator

福田 敦夫 東京工業大学, 工学部, 教授 (10013484)

Research Products

[Publications] Y.Takanishi et al.: "“Sontaneous Formation of QuasiーBookshelf Layer Structure in New Ferroelectric Liquid Crystals Derived from a Naphthalene Ring"" Jpn.J.Appl.Phys.29. L984-L986 (1990)

[Publications] M.Johno et al.: "“Correspondence between Smectic Layer Switching and DC Hysteresis of Apparent Tilt Angle in a Antiferroelectric Liquid Crystal Mixture"" Jpn.J.Appl.Phys.29. L111-L114 (1990)

[Publications] M.Johno et al.: "“Temporal and Spatial Behavior of the FieldーInduced Transition between Antiferroelectric and ferroelectric Phases in Chiral Smectics"" Jpn.J.Appl.Phys.29. L107-L110 (1990)

[Publications] J.Lee et al.: "“Frequency Dependent Switching Behavior under Triangular Wave in Antiferroelectric and Ferrielectric Chiral Smectic Phases"" Jpn.J.Appl.Phys.29. 1122-1127 (1990)

[Publications] H.Takezoe et al.: "“Antiferroelectric Phase and Tristable Switching in MHPOBC"" Ferroelectrics. 113. 187-197 (1990)

[Publications] 伊藤 恵造 et al.: "“反強誘電性安定化(AFS)強誘電性液晶(FLC)における3安定状態間スイッチング"" テレビジョン学会誌. 44. 536-543 (1990)

[Publications] 福田 敦夫、竹添 秀男: "“強誘電性液晶の構造と物性"" コロナ社, 437 (1990)

福田敦夫東京工業大学, 工学部, 教授 (10013484)

[Publications] 伊藤恵造 et al.: "“反強誘電性安定化(AFS)強誘電性液晶(FLC)における3安定状態間スイッチング"" テレビジョン学会誌. 44. 536-543 (1990)

[Publications] 福田敦夫、竹添秀男: "“強誘電性液晶の構造と物性"" コロナ社, 437 (1990)