金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究

1990 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 02232104
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 村山 洋一 東洋大学, 工学部, 教授 (40057956) ; 金原 粲 東京大学, 工学部, 教授 (90010719) ; 安田 幸夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951) ; 大泊 巌 早稲田大学, 理工学部, 教授 (30063720) ; 菊田 惺志 東京大学, 工学部, 教授 (00010934)
• Keywords: 金属ー半導体界面 / 界面固相反応 / ショットキ-障壁 / ヘテロ界面 / マイクロエレクトロニクス

Research Abstract

重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」の目的は、21世紀に向けての超LSIを中心とした、半導体マイクロエレクトロニクス発展の鍵を握る「金属ー半導体界面」を原子尺度で解明することによって、金属ー半導体界面の制御と自在な設計が可能となる基本技術の指針を明らかにし、基礎学問および産業両面に貢献することである。このため、(1)金属ー半導体積層界面の基礎、(2)精密積層界面の作製とその精密制御、(3)積層界面の評価と界面反応過程の解明、および(4)界面反応の物理・化学、の研究課題を取り上げている。本総括班は、これら4つの研究課題について組織された4研究班の上位機構であり、本重点領域研究の戦略作成および円滑推進のために、研究・討論会や企画打合せ会を開催した(複数回)。また、各班で行なわれている個別の研究開発項目を把握・評価し、研究・開発の遂行についての助言・激励を与えるため、選定された個別の課題研究の成果発表の場である、全体会議を2度開催することにより、様々な学問分野の研究者と議論を行った。このようにして、産業界における主要な研究者・技術者と、関連技術の現状とその本質的問題点について討論し、超LSIの現状や超々LSIを中心とした、マイクロエレクトロニクスの発展に横たわる問題点を認識し、これを各班に伝達した。また、文献調査および国際会議・国内会議における調査も併せて行ない、各班に伝達した。さらに、得られた成果を一般にも公表するため、現在この分野で最も盛んな我国の学会である応用物理学会において、「金属ー半導体界面」と題するシンポジウムを企画した(2回)。なお、本研究の成果の一部はイタリア(1990年5月、ロ-マ)で開催される第3回半導体の界面形成に関する国際会議(ICFSIー3)でも発表される。

Research Products

• [Publications] T.Ito: "“Structural Change of Crystalline Porous Silicon with Chemisorption"" Jpn.J.Appl.Phys.29ー2. L201-L204 (1990)
• [Publications] Y.Mori: "“Properties of CVD Diamond/Metal Interfaces"" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.162. 353-358 (1990)
• [Publications] T.Ito: "“Homoepitaxial Growth of Sillicon on Anodized Porous Silicon"" Appl.Surf.Sci.44. 96-102 (1990)
• [Publications] A.Yamama: "“Silicidation of Patterned Narrow Area of Porous silicon"" Vacuum. 41. 1254-1257 (1990)
• [Publications] Y.Mori: "“Properties of Metal/Diamond Interface and Effects if Oxygen Adsorbed onto Diamond Surface"" Appl.Phys.Lett.58. 940-941 (1991)
• [Publications] 神谷 栄二: "「埋もれたシリコン界面の高速イオン散乱法による評価」" 電子情報通信学会技術研究報告. 90ー349. 65-69 (1990)
• [Publications] T.Ito: "“Role of Hydrogen Atoms in Anodized porous Silicon"" Physica B. 170. (1991)
• [Publications] T.Yasusmatsu: "“Ultrathin Si Film Grown Epitaxially on Porous Silicon"" Appl.Surf.Sci.(1991)
• [Publications] J.Moon: "“Possibility of Chemical Information Detection at MetalーSilicon Interfaces Using High Energy Ion Scattering"" Appl.Sur.Sci. (1991)
• [Publications] J.Moon: "“Formation of Tin by Nitridation of Magnetron Sputtered Ti Films Using Microwave Plasama CVD"," J.Cryst.Growth. (1991)
• [Publications] T.Kajiwara: "“Mechanical and Electrical Properties of rf Sputtered LaB_6 Thin Films on Glass Substrates"" Vacuum. 41. 1224-1228 (1990)
• [Publications] S.Baba: "“Island Structure of SputterーDeposited Ag Thin Films"" Vacuum. 42. 279-282 (1991)
• [Publications] T.Nakano: "“Structure Modification of RF Sputtered LaB_6 Thin Films by Internal Stress"" J.Vac.Sci.Technol.A9. (1991)
• [Publications] A.Kinbara: "“Growth Process of Wrinkles Generated in Deposited Films"" J.Vac.Sci.Technol.A9. (1991)
• [Publications] T.Yamauchi: "“Solid Phase Reaction and Electrical Properties in Zr/Si System"" Appl.Phys.Lett.57. 1105-1107 (1991)
• [Publications] T.Yamauchi: "“SolidーPhase Reactions and Crystallographic Structures in Zr/Si Systems"" J.Appl.Phys.(1991)
• [Publications] T.Yamauchi: "“Formation of Interfacial Layers and Electrical Conduction Mechanisms Dominating the Contact Resistivity in Refractory MetalーSi Contacts"" Appl.Surf.Sci.(1991)