1990 Fiscal Year Annual Research Report
金属シリサイド/pーSi_<1ーx>Ge_x界面の作製とその制御
| Project/Area Number |
02232206
|
|---|
| Research Institution | University of Tsukuba |
|---|
Principal Investigator |
長谷川 文夫 筑波大学, 物質工学系, 教授 (70143170)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
重川 秀実 筑波大学, 物質工学系, 講師 (20134489)
|
|---|
| Keywords | Si_<1ーx>Ge_x / 分子線エピタキシ- / シリサイド / ジャ-マナイド / 赤外イメ-ジセンサ- |
|---|
| Research Abstract |
1.研究の目的…ショットキ-障壁型赤外センサ-の長波長化を目的にした、Silicide/pーSiGe接合に対するgermanideの影響を除去するために、PtとSiの同時蒸着によるPtSiの低温形成について検討した。
2.本年度の研究実験…蒸着速度比Pt/Si=1/1とし、基板温度を80,200,350℃と変えてX線、RHEED、比抵抗、ショットキ-特性の測定を行った。80℃でも既にPtSiが形成されており、200℃になると[110]方向への配向が始まる。また比抵抗も、Pt/Si=1/1基板温度200℃で堆積した膜は、通常の熱処理による物とほぼ同じであった。蒸着速度比をPt/Si:4/3,1/1,3/4と変えると、Ptが多い場合には充分にPtSiが形成されているにもかかわらず、Siが多い場合にはX線のピ-クは現れず、アモルファスに成っていると考えられる。また、このようなPtSi_xでショットキ-を形成した場合には、熱的安定性が悪かった。これに対してPt/Si=1/1、基板温度200℃でPtSiを形成した場合には、熱的安定性も良く良好なショットキ-が得られた。
しかしながら、ショットキ-特性はPtSi蒸着前の高真空中での基板熱処理温度に敏感で、900℃、20分のthermal cleaningを行うと、良好なショットキ-が得られないという現象が見られた。これについては今後更に検討を行う予定である。
|
-
[Publications] H.KANAYA,et.al.: "Preferential PtSi Formation in Thermal Reaction between Pt and Si_<0.8>Ge_<0.2> MBE Layers" JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Vol.29. L850-L852 (1990)
-
[Publications] H.KANAYA,et.al.: "Influence of the Surface Condition on the Thermal Relaxation of Strained SiGe Molecular Beam Epitaxy Layers" JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Vol.29. L2143-L2145 (1990)
-
[Publications] K.FUJII,et al: "LowーTemperature Formation of the PtSi Layer by Codeposition of Pt and Si in a Molecular Beam Epitaxy System" Japanese.J.Appl.Phys.Vol.30. (1991)
