1990 Fiscal Year Annual Research Report

単色陽電子線による金属ー半導体界面の電子状態・格子欠陥の研究

Research Project

Project/Area Number	02232207
Research Institution	University of Tsukuba
Principal Investigator	谷川庄一郎筑波大学, 物質工学系, 助教授 (90011080)
Keywords	単色陽電子線 / 金属ー半導体界面 / 薄膜中の格子欠陥
Research Abstract	陽電子消滅法による電子状態・格子欠陥の研究は、放射性同位元素からの0〜数100keVの白色陽電子をそのまま用いる方法で、バルクの分析法として非常な発展を逐げたが、本研究では、この方法を高度化して単色陽電子線を発生させ、そのエルネギ-を単色のままで可変とし、対象試料への深さの関数として、電子状態・格子欠陥分布を調べる方法とし、金属ー半導体界面の評価,界面反応過程の解明に応用した。エネルギ-分解能0.5eV,エネルギ-可変領域0.1〜50keV(陽電子の侵入深さ0.5nm〜5μmに対応)、陽電子電流10^5e^+/secの性能を有する単色エネルギ-可変陽電子ビ-ムラインを利用して、以下の項目の研究を行った。 (1)イオン注入したSi,GaAs中の原子空孔型欠陥の深さ分布および焼鈍過程の測定,(2)Si上に形成したTiN膜,ダイアモンド膜の欠陥評価(3)Si上の酸化膜,窒化膜の応力に誘起されたCZーSi中の酸素の再配列,(4)SiをMBEでド-プしたGaAs膜中のGa空孔の生成・移動の直接測定と不純物拡散機構との関連に関する研究,(5)GaAs中のpn接合の劣化とGa空孔の生成・移動,Ga格子間原子の生成・移動の関係に関する研究,(6)硫黄処理したIIIーV化合物半導体(GaAs,GaP etc)表面の欠陥形成抑制に関する研究,(7)イオン注入によりSiをド-プしたGaAsのRTAによる活性化機構の解明,(8)イオン注入によりSeをド-プしたGaAsの活性化機構の解明,(9)normalーHEMTおよびinverted HEMT中の欠陥解析と電子の移動度の関係に関する研究,(10)MOVPEおよびMBEにより形成したZnSe膜中の欠陥解析とGaド-プとの関係,(11)MOSFET中の電場勾配の測定、等である。以上の研究成果の一部は、既に、学術刊行誌に公表された。

Research Products

(7 results)

All Other

All Publications (7 results)

[Publications] J.L.Lee,A.Uedono,S.Tanigawa and J.Y.Lee: "Vacancyーtype defects in Si^+ーimplanted GaAs and its effects on the electrical activation by a rapid thermal annealing" J.Appl.Phys.67. 6153-6157 (1990)
[Publications] J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,T.Nakagawa and K.Ohta: "Characterization of column III vacancies in Al_xGa_<1ーx>As/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.29. L1763-L1765 (1990)
[Publications] A.Uedono,S.Tanigawa,J.Sugiura and M.Ogasawara: "Vacancyーtype defects in As^+ーimplanted SiO_2(43nm)/Si probed with slow positrons" Jpn.J.Appl.Phys.29. 1867-1871 (1990)
[Publications] J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa and M.Kawabe: "Impurity effect on the creation of Ga vacancies in Siーdoped layer grown on Beーdoped GaAs by molecular beam epitaxy" J.Appl.Phys.68. 5571-5575 (1990)
[Publications] J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,H.Oigawa and Y.Nannichi: "The effect of surface oxides on the creation of point defects in GaAs studied by slow positron beam" Jpm.J.Appl.Phys.30. L138-L140 (1991)
[Publications] A.Uedono,L.Wei,C.Dosho,H.Kondo,S.Tanigawa,J.Sugiura and M.Ogasawara: "Defect production in phosphorus ionーimplanted SiO_2(43nm)/Si studied by a variableーenergy positron beam" Jpn.J.Appl.Phys.30. 201-206 (1991)
[Publications] 谷川庄一郎(共著): "最新「固体表面/微小領域の解析・評価技術」" リアライズ, (1991)

1990 Fiscal Year Annual Research Report

単色陽電子線による金属ー半導体界面の電子状態・格子欠陥の研究

Principal Investigator

谷川 庄一郎 筑波大学, 物質工学系, 助教授 (90011080)

Research Products

[Publications] J.L.Lee,A.Uedono,S.Tanigawa and J.Y.Lee: "Vacancyーtype defects in Si^+ーimplanted GaAs and its effects on the electrical activation by a rapid thermal annealing" J.Appl.Phys.67. 6153-6157 (1990)

[Publications] J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,T.Nakagawa and K.Ohta: "Characterization of column III vacancies in Al_xGa_<1ーx>As/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.29. L1763-L1765 (1990)

[Publications] A.Uedono,S.Tanigawa,J.Sugiura and M.Ogasawara: "Vacancyーtype defects in As^+ーimplanted SiO_2(43nm)/Si probed with slow positrons" Jpn.J.Appl.Phys.29. 1867-1871 (1990)

[Publications] J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa and M.Kawabe: "Impurity effect on the creation of Ga vacancies in Siーdoped layer grown on Beーdoped GaAs by molecular beam epitaxy" J.Appl.Phys.68. 5571-5575 (1990)

[Publications] J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,H.Oigawa and Y.Nannichi: "The effect of surface oxides on the creation of point defects in GaAs studied by slow positron beam" Jpm.J.Appl.Phys.30. L138-L140 (1991)

[Publications] A.Uedono,L.Wei,C.Dosho,H.Kondo,S.Tanigawa,J.Sugiura and M.Ogasawara: "Defect production in phosphorus ionーimplanted SiO_2(43nm)/Si studied by a variableーenergy positron beam" Jpn.J.Appl.Phys.30. 201-206 (1991)

[Publications] 谷川 庄一郎(共著): "最新「固体表面/微小領域の解析・評価技術」" リアライズ, (1991)

谷川庄一郎筑波大学, 物質工学系, 助教授 (90011080)

[Publications] 谷川庄一郎(共著): "最新「固体表面/微小領域の解析・評価技術」" リアライズ, (1991)