1990 Fiscal Year Annual Research Report
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02253104
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
高橋 清 東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
廣田 栄治 総合研究大学院大学, 副学長 (30011464)
服部 秀三 名古屋大学, 名誉教授 (10023003)
西沢 潤一 東北大学, 学長 (20006208)
伊藤 糾次 早稲田大学, 理工学部, 教授 (90063205)
明石 和夫 東京理科大学, 理工学部, 教授 (00013095)
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| Keywords | 光励起プロセス |
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| Research Abstract |
本研究グル-プは、「半導体における光励起プロセスの基礎」の研究の総括班として、研究全体のまとめを行った。総括班会議は、第1回平成2年7月16日東京工業大学、第2回同年10月12日東京工業大学、第3回同年12月14日東京大学、第4回平成3年2月1日豊橋ホリデイ・インでそれぞれ開催した。
本年度は、平成2年7月16日に東京工業大学で研究会を開催し、本研究に関する内外の研究状況、研究目的、本年度の研究実施計画についてそれぞれ研究代表者から発表された。
平成2年12月14日には東京大学で公開講演会を開催し、本研究を内外に紹介した。また本年度の研究成果報告会が、豊橋ホリデイ・インで、平成3年1月31日、2月1日の2日間にわたり開催され、本年度の研究で得られた成果についてそれぞれの研究者から報告された。
それぞれの研究分担者の相互の情報交換として、ニュ-スレタ-を2回出版し、また研究担当者名簿を発行した。
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[Publications] Akira Yamada: "Heavily Pーdoped(<10^<21>cm^<ー3>)Si and SiGe Films Grown by PhotoーCVD at 250℃" Journal of Electronic Materials. 19. 1083-1087 (1990)
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[Publications] Akira Yamada: "Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Si and SiGe using Si_2H_6 and GeH_4" J.Appl.Phys.69. 1008-1012 (1991)
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[Publications] Kiyoshi Takahashi: "Textured ZnO Thin Films for Solar Cells Grown by Metal organic Chemical Vapor Deposition" Jpn.J.Appl.Phys.(1991)
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[Publications] Makoto Konagai: "Metallic pーtype GaAs and InGaAs Grown by MOMBE" Journal of Crystal Growth. 105. 359-365 (1990)
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[Publications] 小長井 誠: "MOMBE法によるメタリックp形GaAsの成長と評価" 応用物理. 59. 47-53 (1990)
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[Publications] Masakiyo Matsumura: "Hydrogen RadicalーAnnealing of ChemicalーVaporーDeposited Amorphous Silicon Films" Jpn.J.Appl.Phys.29. L2171-L2174 (1990)
