1990 Fiscal Year Annual Research Report
化合物半導体基板上におけるヘテロエピタキシャル成長ダイナミクスに関する研究
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02452248
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| Research Institution | Waseda University |
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Principal Investigator |
大坂 敏明 早稲田大学, 理工学部, 教授 (50112991)
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| Keywords | 超高真空電子顕微鏡 / 透過電子回折 / 化合物半導体 / 表面構造 |
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| Research Abstract |
当該年度は、超高真空電子顕微鏡内でInSb基板の清浄化を行い、その清浄表面の構造解析を透過電子回折法を用いて行うことを目的とした。特に、この手法を用いた化合物半導体の表面構造解析は従来例がなく、本研究において初めてなされたものである。これらの結果の概略を以下に示す。
(1)試料交換機構の導入
化合物半導体試料表面を原子レベルで清浄とするためには、10^<-10>Torrオ-ダ-の清浄な真空と適切な前処理が必要である。しかしながら、これを遂行するためには多大な時間を必要とする。この問題を解決するため、試料室を大気に曝すことなく、試料交換する機構をもうけた。この交換機構により、試料のチャ-ジ数は飛躍的に増大することとなった。
(2)超格子反射強度の定量測定
新たに導入したイメ-ジングプレ-トシステムにより、超格子反射強度の定量測定が可能となった。このため、X線回折法でも利用されているバルクの構造解析法(Patterson解析等)が表面構造解析に対しても十分な精度をもって適応できることとなった。
(3)InSb(111)Aー2x2表面超構造の解析
Patterson解析の結果、この構造は、従来提唱されてきたvacancy buckling modelと同様の原子配列をもつことが明らかとなった。また、最小二乗法を適応することにより、0.01nmの精度で表面の原子座標を決定することが可能であることを示した。
(4)InSb(111)Bー2x2表面超構造の解析
同様な解析の結果、この構造は、従来提唱されてきた、vacancyを持つ構造ではなく、Sbのtrimerを持つ構造であることが明らかとなった。この結果はSTM観察によって暗示された結果を良く説明できることからも強く支持される。
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Research Products
(1 results)
