1992 Fiscal Year Annual Research Report
格子定数差の大きいヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術の開発
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02555057
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| Research Institution | UNIVERSITY OF TOKYO |
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Principal Investigator |
西永 頌 東京大学, 工学部, 教授 (10023128)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
坂輪 盛一 電気化学工業(株), 総合研究所, 研究員
寺崎 隆一 電気化学工業(株), 総合研究所, 副主任研究員
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| Keywords | Si基板上のGaAs成長 / MBE / LPE / 横方向成長 / フォトルミネッセンス / エッチピット / バッファ層 / 低転位結晶 |
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| Research Abstract |
本年度はSi基板上にMBE法により直接成長させたGaAsの評価とLPE法による横方向成長条件の最適にを行った。
1)Si基板上にMBE成長させたGaAsの評価
先ず、各種バッファ層を用いてSi基板上にGaAsを成長し、かつ熱サイクルを加えた場合及び加えなかった場合につきGaAs成長層の評価をフォトルミネッセンスを用いて行った。バッファ層としてはGaAsおよびAlAsの結晶性及びアモルファスバッファ層を用いた。又、GaAsバッファ層の熱処理を完全にするため、AlAsをキヤップ層とする二重バッファ層も試みた。フォトルミネッセンスの測定によると二重バッファ層の上に2μmのGaAsを成長させ熱サイクルを加えた後さらに1μmのGaAsを成長させたサンプルの強度が最も強く、アモルファスバッファ層を採用し、高温熱処理と熱サイクルを加えることが重要であることがわかった。
2)LPE法による横方向成長の最適化
昨年度までは反位相領域(APD)の存在を仰制するため、(100)から2度以上傾けた基板を用いて成長を行った。しかし、Siのエピタキシャル成長を行ったものを基板として用いると殆んど(100)面に近い基板でもAPDのないGaAs層が成長することがNTTグループによって発見された。そこで本研究でも0.3度オフのSiエピタキシャル成長基板を用いてMBE成長を行ったところAPDのないGaAs成長層が得られた。そこでこれを基板とし、LPE法により横方向成長を行ったところ,平行性の非常に優れた横方向成長層が得られた。横縦比も全体的に8以上という非常によい成長層が得られた。
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[Publications] S.Sakawa and T.Nishinaga: "Effect of Si doping on epitaxial lateral overgrowth of GaSs on Si" Japan.J.Appl.Phys.31. L359-L361 (1992)
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[Publications] W.Y.Uen and T.Nishinaga: "Growth of GaAs on Si by employing AlAs/GaAs kouble amorphous butter" J.Crystal Growth. (1992)
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[Publications] T.Nishimaga: "Patterned epitaxy and dislocation free layers" Proc.34th AVCP Symposium on Crystal Growth and Epitaxy. 353-366 (1992)
