1990 Fiscal Year Annual Research Report
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02555058
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
阿部 正紀 東京工業大学, 工学部, 教授 (70016624)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川又 肇 松下電子部品(株), 電子部品研究所, 室長
伊藤 友幸 東京工業大学, 工学部, 助手 (40203153)
五味 学 東京工業大学, 工学部, 助教授 (80126276)
玉浦 裕 東京工業大学, 理学部, 助教授 (00108185)
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| Keywords | フェライト / めっき / 薄膜 / 磁性体 |
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| Research Abstract |
Xeランプを用いて光照射フェライトメッキを行ない、Fe_3O_4膜の構造が使用する反応液の金属イオン濃度によって変化することを見い出した。すなわち、低濃度の水溶液を用いたときには膜面に垂直な柱状構造が観察されたが、高濃度の水溶液を用いたときには粒子径が増大し柱状構造が消失した。また、光照射フェライトメッキで問題となっていた膜表面の荒れを多糖類の一種であるデキストランを反応液に添加することにより改善し、飽和磁化の値を減少させることなく保磁力の値を減少させることに成功した。Fe_3ーxMxO_4(M=Ni,Mn,Co)膜を作製し、これらの膜の堆積速度は組成Xによって変化しないことが明かとなった。一方、光照射による膜堆積速度の増加の原因を分光学的に探査するために、前述のXeランプにコ-ルドミラ-(λ<〜750nm透過)、およびNDフィルタ-(NDー70、NDー40、NDー0.03、HOYA製)を取り付けた。膜堆積速度はコ-ルドミラ-を用いることにより、コ-ルドミラ-を用いない場合に比べて〜1/10に減少し、〜22nm/minとなった。膜堆積速度はNDフィルタ-の透過率に比例した。これらのことにより熱エネルギ-による基板の局所加熱によって高い膜堆積速度が得られたと推察される。現在、新規購入したアルゴンイオンレ-ザ-を用いてフェライトメッキを行ないフェライト膜の形成される条件を探査するとともに、フェライト膜のパタ-ンニングを行なう準備を進めている。レ-ザ-照射フェライトメッキ法により作製した膜のフェリ磁性共鳴を測定し、軟磁気特性及びマイクロ波特性が良好なフェライト膜作製条件を探査する。
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[Publications] T.ITOH: "Lightーenhanced Ferrite Plating of Fe_3ーxMxO_4(M=Ni,Zn,Co and Mn)Films in An Aqueous Solution" Journal of Applied Physics. (1991)
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[Publications] 堀 誠一郎: "光照射フェライトメッキ法によるFe_3O_4膜の表面平滑性と膜堆積速度" 日本応用磁気学会誌,1991論文特集号.
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[Publications] M.Abe: "Preparation and application of magnetic films by ferrite plating ni aqueons solution" MRS Spring Meeting Proceeding.
