1991 Fiscal Year Annual Research Report
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02555058
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
阿部 正紀 東京工業大学, 工学部, 教授 (70016624)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川又 肇 松下電子部品(株), 電子部品研究所, 室長
伊藤 友幸 東京工業大学, 工学部, 助手 (40203153)
五味 学 東京工業大学, 工学部, 助教授 (80126276)
玉浦 裕 東京工業大学, 理学部, 助教授 (00108185)
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| Keywords | フェライト / めっき / マスクレス・パタ-ンニング / レ-ザ-照射めっき |
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| Research Abstract |
(1)レ-ザ-照射フェライトメッキによる膜堆積速度の増加
昨年度購入したArイオンレ-ザ-を光源とするレ-ザ-フェライトメッキ装置を構築し、フェライト膜作製条件を検討した。Arイオンレ-ザ-を用いることによりFe_3O_4膜を光照射部のみに堆積させることができた。このようなフェライト膜の選択的な成長は、Arイオンレ-ザ-を用いたことによる局所加熱効果により光照射部のみがフェライト膜が形成される60℃以上になったためと考えている。また、膜堆積速度が、Xeランプを使用した場合の7倍、光照射しない従来のフェライトメッキ法に比べて70倍以上増大することを見いだした(膜堆積速度:〜2350nm/min)。これは、エネルギ-密度がXeランプの〜24倍も高いために局所加熱効果(光照射部分での溶液の対流の促進、金属イオンなどの溶液中での移動度の増加など)が高まったためと考えている。
(2)レ-ザ-照射フェライトメッキによるマスクレスパタ-ンニング
レ-ザ-光を照射しながら基板を移動させてメッキを行い、マスクを用いる事なく任意のFe_3O_4膜のパタ-ンを作製することに成功した。パタ-ンの線幅、膜堆積速度の光照射強度依存性を検討し、パタ-ンニングに対する最適条件を決定した。また、作製した膜の磁気特性は従来のフェライトメッキ法で作製した膜とほぼ一致した。さらに、マイクロ波デバイスへの応用のためにNiフェライト及びZnフェライトを作製し、良好な磁気特性が得られる作製条件を検討している。
現在、マスクレスパタ-ンニングの技術を用いて種々の磁性デバイスを作製するための準備を進めている。また、膜面の平滑化のための作製条件も検討している。
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[Publications] 堀 誠一郎: "レ-ザ照射フェライトメッキ法によるFe_3O_4膜の作製とマスクレス・パタ-ニング" 日本応用磁気学会誌.
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[Publications] S.Hori: "Maskless Patterning of Ferrite Film by Selected Area Film Growth in Agueous Sdution by“Laser-Enhanced Ferrite Plating"" Jpn.J.Appl.Phys.
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[Publications] T.Itoh: "Maskless Patterning of Ferrite Films by“Laser-Enhanced"Ferrite Plating in Aqueous Solution" J.Appl.Phys.
