1991 Fiscal Year Annual Research Report
誘導電圧の非干渉重畳による高電圧矩形パルス波形の改善と単色大強度REBの発生
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02650197
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
堀田 栄喜 東京工業大学, 工学部, 助教授 (70114890)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鈴木 光明 東京工業大学, 工学部, 助手 (00196875)
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| Keywords | 誘導電圧 / 非干渉重畳 / 高電圧矩形パルス / 相対論的電子ビ-ム |
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| Research Abstract |
誘導電圧の非干渉重畳を利用すれば、負荷条件にほとんど影響されることなく任意の電圧波形を合成することが可能になるので、電圧波形を著しく改善することができ、これにより電子ビ-ムの単色性の向上を図ることができる。本研究の目的は、負荷側の要求に自由に応じることのできる、誘導電圧の非干渉重畳を利用した高電圧矩形パルス電源の特性、およびこの電源を用いた磁気絶縁型電子銃により生成される円筒形大強度相対論的電子ビ-ムの特性を研究することである。本年度は主に電子ビ-ムの発生実験が行われ、以下のような結果が得られた。
1)陰極材料として、カ-ボンあるいは真鍮を用い、両者の特性比較を行った。その結果、真鍮電極では得られる電流値が非常に低く、再現性も悪かった。これに対し、カ-ボン電極を用いた場合には、得られたビ-ム電流値が高く、エネルギ-100keV、電流値100A、パルス幅500nsの電子ビ-ムが得られた。
2)発生ビ-ム電流値は磁気絶縁用およびガイド用の軸方向磁界分布に依存するが、電子の粒子軌道シミュレ-ションによりその依存性の原忠を確認した。
3)粒子軌道シミュレ-ションおよび理論計算から得られるビ-ム電流値は実測よりも大きい。これは、ダイオ-ド部での何らかの不安定性がビ-ムの生成に影響ぉ与えているためであると思われる。この不安定性の同定は今後の課題である。
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