金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)

1991 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 03216104
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 村山 洋一 東洋大学, 工学部, 教授 (40057956) ; 金原 粲 東京大学, 工学部, 教授 (90010719) ; 安田 幸夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951) ; 大泊 巌 早稲田大学, 理工学部, 教授 (30063720) ; 菊田 惺志 東京大学, 工学部, 教授 (00010934)
• Keywords: 金属ー半導体界面 / 超LSI / マイクロエレクトロニクス / 界面反応 / 積層界面

Research Abstract

重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」の目的は、半導体マイクロエレクトロニクス発展の鍵を握る「金属ー半導体界面」を原子尺度で解明することによって、「金属ー半導体界面」の制御と自在な設計を可能とするような基本技術確立に向けての指針を明らかにし、関連する基礎学問および産業の両面に貢献することである。このため、(1)金属ー半導体積層界面の基礎、(2)精密積層界面の作製とその精密制御、(3)積層界面の評価と界面反応過程の解明、および(4)界面反応の物理・化学、の研究課題を取り上げている。本総括班は、これら4つの研究課題について組織された4研究班の上位機構であり、本重点領域研究の戦略を樹立し、その円滑な推進を計るために、研究討論会や企画打合せ会を複数回開催した。また、各班で行なわれている個別の研究開発項目を把握・評価し、それらの研究や開発の遂行について助言や激励を与えるため、選定された個別の研究課題の研究成果の発表の場である全体会議を2度開催することにより、様々な学問分野の研究者と議論を行った。このようにして、産業界における主要な研究者や技術者と、関連技術の現状およびその本質的問題点について討論することにより、超LSIの現状や超々LSIを中心としたマイクロエレクトロニクスの発展に横たわる根本的問題点を認識し、これを各班に伝達した。また、文献調査および国際会議・国内会議における調査研究も併せて行い、その状況を各班に伝達した。さらに、現在この分野で最も盛んな我国の学会である応用物理学会において、「金属ー半導体界面」と題するシンポジウムを2回開催し、得られた研究成果を一般にも公表した。また、本研究の成果の一部は、ロ-マ(1991年5月)で開催された第3回半導体の界面形成に関する国際会議(ICFSIー3)で発表され、プロシ-ディングとして出版される。

Research Products

• [Publications] 神谷 栄二: "埋もれたシリコン界面の高速イオン散乱法による評価" 電子情報通信学会技術報告. 91. 29-34 (1991)
• [Publications] Y.Mori: "Properties of metal/diamond interfaces and effects of oxygen adsorbed onto diamond surface" Appl.Phys.Lett.58. 940-941 (1991)
• [Publications] J.Moon: "High-Energy Ion-Induced Damages at Metal-Silicon Interfaces during Channeling Measurements" Appl.Surf.Sci.(1992)
• [Publications] T.Ito: "Non-destructive and Quantitative Analysis of Buried Interfaces of Si-Related Crystalline Multilayers Using High-Energy Ion Scattering" Appl.Surf.Sci.(1992)
• [Publications] E.Kamiya: "Characterization of Si Interfaces by High Energy Ion Scattering" 電子情報通信学会誌. (1992)
• [Publications] Y.Mori: "Characterization of metal/CVD diamond inteface formation" Appl.Surf.Sci.(1992)
• [Publications] A.Hiraki: "Recent Developments on Metal-Silicon Interfaces" Appl.Surf.Sci.(1992)
• [Publications] K.Kawamura: "X-ray standing wave analysis of the GaAs/Si interface" Surface Science. 251/252. 185-190 (1991)
• [Publications] T.Takahashi: "A study of the Si(111)" Surface Science. 242. 54-58 (1991)
• [Publications] X.-J.Wu: "TEM Observation of a Piled Structure of Si/Ga/Si with Ga Monolayer" Jpn.J.Appl.Phys.31. L119-L122 (1992)
• [Publications] T.Ueno: "Atomic scale structure of microtwins in single crystal Si grown by lateral solid phase epitaxy" J.Appl.Phys.808-811 (1991)
• [Publications] T.Ueno: "Quasi in-situ observation of Si lateral solid phase epitaxy" Appl.Surf.Sci.
• [Publications] T.Ueno: "Analysis of atomic scale structure of microtins in L-SPE Si by modeling" Jpn.J.Appl.Phys.
• [Publications] T.Yamauchi: "Solid-Phase Reactions and Crystallographic Structures in Zr/Si Systems" J.Appl.Phys.69. 7050-7056 (1991)
• [Publications] T.Yamauchi: "Formation of Interfacial Layers and Electrical Conduction Mechanisms Dominating Contact Resistivities in Refractory Metal-Si Systems" Appl.Surf.Sci.
• [Publications] T.Yamauchi: "Photoemission Spectroscopy Study on Refractory metal-Si Interfaces" J.Appl.Phys.
• [Publications] S.Baba: "Island Structure of Sputter-Deposited Ag Thin Films" Vacuum. 42. 279-282 (1991)
• [Publications] T.Nakano: "Structure Modification of RF Sputtered LaB_6 Thin Films by Internal Stress" J.Vac.Sci.Technol.3. 547-549 (1991)
• [Publications] A.Kinbara: "Growth Process of Wrinkles Generated in Deposited" Films J.Vac.Sci.Technol.4. 2494-2496 (1991)