1991 Fiscal Year Annual Research Report
極微小電子線プロ-ブを用いた半導体ー金属界面の研究
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03216208
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
田中 信夫 名古屋大学, 工学部, 助教授 (40126876)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
美浜 和弘 大同工業大学, 工学部, 教授 (50023007)
木塚 徳志 名古屋大学, 工学部, 助手 (10234303)
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| Keywords | 金属 / 半導体界面 / ナノ回折 / ナノEELS / 量子井戸 |
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| Research Abstract |
平成3年度は、金属/半導体,半導体/半導体界面の構造評価と電子物性の測定をナノメ-タ-サイズで行なうために電界放射型電子鋭を備えた電子顕微鏡でナノ回折,ナノEELS(電子線エネルギ-損失分光)の実験を進めた。電界放射型電子鋭を用いることにより、(1)5〜10nmのプロ-ブ径で角度分解能0.1mrad以下のナノ電子回折ができ、半導体界面のナノメ-タ-サイズの領域の格子歪を検出することができた。また(2)半導体超格子の数nm中の1個1個の量子井戸の電子状態を測定するため、ナノプロ-ブでEELSスペクトルが得られることも示した。平成3年度後半には上記EELSのデ-タを検証するとともにナノプロ-ブをMgO表面に適用して、表面に関するデ-タを得た。さらに最近発見された金と酸化物半導体界面におけるNO,CO分解の触媒作用の機構を明らかにする研究も行った。
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[Publications] N.Tanaka,K.Mihama & H.Kakibayashi: "Detection of strain in InP/InGaP superlattices by darkーfield electron microscopy and nanoーdiffraction technique" Jpn.J.Appl.Phys.30. L959-L962 (1991)
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[Publications] 田中 信夫: "先端材料評価のための電子顕微鏡技法「微小電子回折による構造評価」の頂分担執筆" 朝倉書店, 382 (1991)
