電子波エレクトロニクス

1991 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 03237105
• Research Institution: Nagasaki Institute of Applied Science
• Principal Investigator: 難波 進 長崎総合科学大学, 工学部, 教授 (70029370)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 冷水 佐壽 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (50201728) ; 赤崎 勇 名古屋大学, 工学部, 教授 (20144115) ; 山西 正道 広島大学, 工学部, 教授 (30081441) ; 花村 栄一 東京大学, 工学部, 教授 (70013472) ; 古屋 一仁 東京工業大学, 工学部, 教授 (40092572)
• Keywords: STM / 実空間遷移 / 超放射 / 界面凸凹散乱 / 横方向波数保存則 / ホットエレクトロン / 自然放出光結合係数スイッチング / 実空間遷移

Research Abstract

電子波デバイスのための表面界面構造をSTMを試作し、大気中および超高真空で、原子スケ-ルで観察評価しその場加工を実現した。 (難波) 段差基板上に成長したGaAs/AlAs量子井戸構造の品質を向上するとともに微細なサブミクロンのファセット領域にキャリアをコンファインできることを確認した。 (冷水) 全ての電子が基底準位にある量子細線での界面散乱を解析し、電子数が増すと移動度が顕著に上昇することを示した。量子井戸端面上のMBE成長も可能にした。 (榊) コヒ-レントなホットエレクトロンの為に必要な結晶成長条件を明らかにした。又、結晶成長によるX線マスク作製を提案し、初期的実験で100nm構造の転写を達成した。 (古屋) 半導体微結晶の表面準位が3次の非線型光学応答を増大すると同時に、多彩なスペクトル構造をもたらすことが分かった。フレンケル励起子系の時間分解スペクトルが求められた。 (花村) AlGaAs/GaAsマイクロ共振器における直流電界印加による自然放出光結合係数スイッチングを用いて、自然放出光の連続的制御を実験的に検証した。 (山西) GaAs/AlGaAs二重量子井戸構造における電子のエネルギ-緩和時間とトンネル時間のエネルギ-準位間隔依存性および表面凹凸散乱効果を明らかにした。 (赤崎) MOS接合からの発光分光によりトンネル電子による発光過程を明らかにした。Si試料のSTM発光実験においてp型とn型で異なった可視域の発光特性を観測した。 (潮田) 本研究の目的である、Geの伝導帯のΛ軸上における電子波干渉効果を観測する基礎として、トンネリングにおける波数横成分の保存性をn‐Siにおいて確認した。 (尾崎)電子とレ-ザ-光との相互作用となる微小間隙回路の具体的な回路構成を決定し、その製作のための基礎的技術を確立した。 (水野)

Research Products

• [Publications] N.Yokoi: "Change in STM Tip Shape during Nanofabrication" Jpn.J.Appl.Phys.(1992)
• [Publications] T.Suemasu: "Improvement of organometallic vapor phase epitaxy regrown GaInAs/InP heterostructure by surface treatment" Jpn.J.Appl.Phys.30. L1702-1704 (1991)
• [Publications] Y.Miyamoto: "Fabrication of ultrafine xーray mask using precise crystal growth techniquer" Jpn.J.Appl.Phys.
• [Publications] J.Molohisa: "Interface roughness scattering and electron mobility in quantum wires" Appl.Phys.Lett.60. (1992)
• [Publications] G.Bauer: "Polarization spectra of quantum wells with imperfect grid insetions" Phys.Rev.B. 44. 5562-5567 (1991)
• [Publications] S.Ushioda: "STM light emission spectroscopy of Au film" Appl.Surf.Sci.
• [Publications] S.Ushioda: "Light emission by tunneling electrons,fluorescence and Raman scattering in a maltilayer geometry" Prog.Theor.Phys.
• [Publications] 裴鐘石: "レ-ザ-光と電子との相互作用に関する基礎的研究" レ-ザ-技術研究会報. 66. 68-73 (1991)
• [Publications] 秋月 泰司: "レ-ザ-光と電子との相互作用に関する基礎的研究" 応用物理学会東北支部第46回学術講演会予稿集. 19-20 (1991)
• [Publications] E.Hanamura: "Optical nonlinearities due to excitonic molecules:optical stark effects and phase conjugation" Phys.Rev.B15. 44. 8514-8525 (1991)
• [Publications] H.Ezaki: "Stochastic theory of a quasiparticle propagating in dynamically fluctuating medium" Physica A. 176. 581-606 (1991)
• [Publications] H.Enomoto: "Tunnelling study on the temperaqture dependence of the band edge structure of SnTe" J.Physics:Condensed Matter. 3. 3265-3272 (1991)
• [Publications] K.Shiikuma: "Observation of the rotatidng angle dependence of the tunneling spectra in heavily doped n‐type silicon" Proc.Int.Symp.Sci.Technol Mesoscopic Structures,(Springer‐Verlag,Tokyo,).
• [Publications] N.Ochi: "Controllable enhancement of excitonic spontaneous emission by quantum confined Stark effect in GaAs quantum wells embedded in quantum microcavities" Appl.Phys.Lett.58. 2735-2737 (1991)
• [Publications] M.Yamanishi: "A Novel Modulation Scheme in Semiconductor light emitters with quantum microcavities:High speed intensity Modulation by Switching of Coupling efficiency of spontaneous" IEEE Photonics Technology Lett.3. 888-890 (1991)
• [Publications] E.Okuno: "Hot electron and real space transfer in double quantum well structures" Jpn.J.Appl.Phys.30. L1373-1377 (1991)
• [Publications] E.Okuno: "Measurement of Minority‐Carrier Drift Velocity in QW structures by PL intensity correlation method." Jpn.J.Appl.Phys.31. L148-150 (1992)
• [Publications] S.Shimomura: "MBE growth of GaAs/AlAs double‐barrier structures on GaAs channeled substrates" J.Crystal Growth. 111. 1105-1109 (1991)
• [Publications] S.Yamakawa: "Pseudomophec InGaAs/AlAs quantum ells Grown on GaAs channeled substrates by MBE" Surf.Sci.