1991 Fiscal Year Annual Research Report
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03239104
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
高橋 清 東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
廣田 栄治 総合研究大学院大学, 副学長 (30011464)
服部 秀三 名古屋産業科学研究所, 電子機械部長 (10023003)
西澤 潤一 東北大学, 学長 (20006208)
伊藤 糾次 早稲田大学, 理工学部, 教授 (90063205)
明石 和夫 東京理科大学, 理工学部, 教授 (00013095)
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| Keywords | 光励起プロセス |
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| Research Abstract |
本研究グル-プは,「半導体における光励起プロセスの基礎」の研究の総括班として,研究全体のまとめを行なった.総括班会議は,第1回平成3年7月25日北海道大学,第2回平成4年1月31日三田出版会にてそれぞれ開催した.
本年度は,平成3年7月25日,26日の2日間北海道大学で研究会を開催し,下記に示す班別テ-マに基づき各班4名の班員より研究発表を行なった.
A班 気相及び表面における反応過程の制御
ー反応過程の制御のために気相及び表面で何を制御すればよいかー
B班 表面におけるどのような光励起過程(励起状態)が表面反応にきいているか?
C班 膜形成における光の役割
ー光の特質をどのように利用するかー
D班 表面反応の診断
また,その他の班員についてはポスタ-による発表を行なった.
平成3年12月13日には東京工業大学で公開講演会を開催し,本研究で得られた成果を内外に紹介した.また,本年度の研究成果報告会を三田出版会(大阪)にて,平成4年1月30日,31日の2日間にわたり開催し,本年度の研究で得られた成果についてそれぞれの研究者からの報告があった.なお,この研究成果報告会は公開とし,成果を内外に紹介することとした.
それぞれの研究分担者の相互の情報交換として,ニュ-スレタ-を2回出版し,また研究担当者名簿を発行した.
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[Publications] Ying Jia: "Effects of Deuterium on Low-Temperature Si Epitaxy by Photo-Chemical Vapor Deposition" Jpn.J.Appl.Phys.30. 893-896 (1991)
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[Publications] Katsuhiko Higuchi: "High-efficiency delta-doped amorphous silicon solar cells prepared by photochemical vapor deposition" Jpn.J.Appl.Phys.30. 1635-1640 (1992)
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[Publications] Akira Yamada: "Raman Study of Epitaxial Ga_2Se_3 Films Grown by Molecular Beam Epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.31. L186-L188 (1992)
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[Publications] Tamotsu Okamoto: "Optical Anisotropy of Vacancy-Ordered Ga_2Se_3 Grown by Molecular Beam Epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.31. S143-L144 (1991)
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[Publications] Takumi Yamada: "MOMBE growth and characterizaion of heavily carbon-doped InGaAs" J.Cryst.Growth. 111. 584 (1991)
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[Publications] Akira Yamada: "Mobility Enhancement of Textured ZnO Films by Ultraviolet Light Irradiation" Jpn.J.Appl.Phys.30. L1152-L1154 (1991)
